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SiHP15N60E-E3-VB 产品详细

产品简介:

1. 产品简介(SiHP15N60E-E3-VB)

SiHP15N60E-E3-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用 TO220 封装,设计用于高电压、高功率应用。该 MOSFET 的最大漏源电压(VDS)为 650V,栅极源电压(VGS)为 ±30V,阈值电压(Vth)为 3.5V,能够承受高达 20A 的漏极电流(ID)。其导通电阻(RDS(ON))在 VGS = 10V 时为 160mΩ,确保在功率转换过程中具有较低的导通损耗。SiHP15N60E-E3-VB 采用了 SJ_Multi-EPI 技术,有助于提升开关性能和电流承载能力,同时降低电流传输中的能量损耗。它非常适合用于高电压、高效率的功率开关、电源管理及工业驱动控制等应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A 160mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
2. 详细参数说明

- **型号**: SiHP15N60E-E3-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道MOSFET
- **最大漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 20A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
- **最大功率耗散**: 150W(依赖于具体散热条件)
- **最大脉冲漏极电流 (IDM)**: 80A
- **开关时间**:
- 开关时间:典型的开关时间(tD(on)、tD(off)、tR、tF)可通过测试获得
- 适用于高频、高速开关应用
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **栅极电荷 (Qg)**: 160nC @ VGS = 10V
- **电气隔离**: 适合用于高电压环境下的应用

领域和模块应用:

3. 应用领域与模块

#### 电源供应与功率转换
SiHP15N60E-E3-VB 由于其能够承受高达 650V 的漏源电压,非常适合用于高电压的电源供应系统,特别是在开关电源、DC-AC 逆变器、AC-DC 适配器等应用中。其较低的导通电阻和良好的开关性能帮助提升系统的转换效率,减少热量损耗。尤其是在工业电源、电力电子设备以及不间断电源(UPS)中,能够提供高效、稳定的功率转换。

#### 工业驱动系统与电动工具
该MOSFET适合用于各种工业驱动系统,尤其是在电动机控制、电动工具及其他功率控制设备中。由于其耐高压能力和大电流承载能力,SiHP15N60E-E3-VB 能够提供精确的电流调节和高效的功率切换,确保电动工具和自动化控制系统在高负载下可靠工作。在电动工具驱动电路中,SiHP15N60E-E3-VB 可作为开关组件,提高系统的运行效率和稳定性。

#### 电动汽车与电池管理系统(BMS)
SiHP15N60E-E3-VB 可应用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电池管理系统。MOSFET 在这些领域中通常用于电池充放电控制和电池组电流调节,确保电池的高效能量管理。它在电动汽车的动力系统和电池管理系统中提供稳定的电力调度,并帮助减少能量损失,提升电池寿命。

#### 可再生能源系统(如太阳能逆变器)
SiHP15N60E-E3-VB 还适用于可再生能源系统中的功率转换应用,特别是在太阳能逆变器中。在太阳能发电系统中,MOSFET 主要用于将直流电(DC)转换为交流电(AC),使得太阳能电池板产生的电力可以供家庭或工业设备使用。SiHP15N60E-E3-VB 提供高电压承受能力和低导通电阻,在高效能转换过程中减少损耗并提高可靠性。

#### 高电压开关与逆变器应用
在高电压开关和逆变器应用中,SiHP15N60E-E3-VB 由于其650V的漏源电压能力,能够处理较大的电压波动,并且在开关过程中保持较低的功率损失。在工业逆变器、焊接电源、变频驱动器等系统中,它能够实现稳定的电力控制,适用于负载电流变化频繁的场景。

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**总结**
SiHP15N60E-E3-VB 是一款高效、可靠的 N 沟道 MOSFET,适合用于高电压、高功率的应用场景。无论是在电源转换、电动工具驱动、电池管理系统,还是可再生能源系统和高电压开关控制中,它都能提供卓越的性能,确保系统稳定、节能并延长设备的使用寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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