SIHFZ10-VB - VBsemi MOS管制造商

SIHFZ10-VB 产品详细

描述
参数
应用
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产品简介：

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SIHFZ10-VB 是一款高效能 N 型 MOSFET，封装为 TO220，采用 Trench 技术。该器件具有 60V 的最大漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压（VGS），适用于低至中等电压的电源和开关控制应用。其阈值电压（Vth）为 1.7V，具有低导通电阻（RDS(ON)）为 72mΩ（在 VGS=10V 时），能够提供高电流承载能力，最大漏电流（ID）为 20A。SIHFZ10-VB 特别适用于需要高效开关操作和低导通损耗的电源管理、开关电源以及电动机驱动系统。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	60V		1.7V	20A			72mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	60V		1.7V	20A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	60V		1.7V	20A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

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- **封装类型**：TO220
- **配置**：单通道 N 型
- **VDS（漏源电压）**：60V
- **VGS（栅源电压）**：±20V
- **Vth（阈值电压）**：1.7V
- **RDS(ON)**：72mΩ（VGS=10V）
- **ID（漏电流）**：20A
- **技术**：Trench
- **工作温度范围**：-55℃ 至 +150℃

领域和模块应用：

SIHFZ10-VB 适用于多种低至中等电压的开关电源应用。其最大漏源电压为 60V，使其非常适合用于较低电压的 DC-DC 转换器、LED 驱动器和电池管理系统中。在开关电源中，低 RDS(ON) 特性能够有效减少能量损耗，提升整体效率。由于其具有较大的最大漏电流（20A），它还广泛应用于电动机驱动、无刷直流电机（BLDC）控制器和电流控制电路等高功率要求的模块。

此外，SIHFZ10-VB 的低 RDS(ON) 和优异的开关性能使其特别适合用于快速开关应用，能够在高频下实现高效转换，因此可用于通讯电源、计算机电源管理等领域。由于其工作温度范围广，它还适用于工业环境中对温度稳定性要求较高的应用，如自动化控制系统、家电产品以及其他需要高电流、低电压操作的电子设备。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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