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SiHFD9110-E3-VB 产品详细

产品简介:

产品简介 - SiHFD9110-E3-VB

**SiHFD9110-E3-VB** 是一款 **双极 P-Channel MOSFET**,采用 **DIP8** 封装,适用于中等电压和电流的应用。其最大漏源电压(VDS)为 **-100V**,适合在相对高压的场合中使用,如电源开关和电压反转的应用。其最大漏极电流(ID)为 **-0.7A**,使其适用于需要小电流处理的低功率应用。

该器件的 **导通电阻(RDS(ON))** 为 **1000mΩ** 在 VGS = 10V 下,适合在低功耗、低电流的系统中使用,提供较低的功率损耗。采用 **Trench** 技术,能够确保 MOSFET 在开关过程中有较低的导通电阻和较高的可靠性,适合需要高效、可靠开关的电源管理系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DIP8 Dual-P -100V -3V -0.7A 1000mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DIP8 Dual-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DIP8 Dual-P -100V -3V -0.7A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DIP8 Dual-P -100V -3V -0.7A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DIP8 Dual-P
详细参数说明

- **封装类型 (Package)**: DIP8
- **配置 (Configuration)**: 双极 P-Channel MOSFET
- **漏源电压 (VDS)**: -100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1000mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -0.7A
- **最大功率耗散 (Pd)**: 1W
- **工作温度范围 (Tj)**: -55°C 至 150°C
- **栅电荷 (Qg)**: 18nC @ VDS = 50V, VGS = 10V
- **反向恢复时间 (trr)**: 45ns
- **技术 (Technology)**: Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块举例

1. **电池保护电路 (Battery Protection Circuits)**
**SiHFD9110-E3-VB** 的 **-100V** 漏源电压和 **0.7A** 的电流能力使其适用于 **电池保护电路**。在电池管理系统中,尤其是用于 **锂电池保护**,能够有效开关电流并提供过电流保护,确保电池不被过充或过放。

2. **低功率开关电路 (Low Power Switching Circuits)**
该 MOSFET 适用于 **低功率开关电路**,如 **电池供电设备** 中的开关模块。由于其较低的导通电阻和较小的漏极电流(0.7A),它能在要求较低功率的电池供电装置中提供高效能的电流开关,适用于各种轻型电子产品。

3. **电压转换和电源管理 (Voltage Conversion and Power Management)**
**SiHFD9110-E3-VB** 可在 **电源转换器** 和 **DC-DC 转换器** 中用于负电压的电源管理。在这些应用中,双极 P-Channel MOSFET 被用于转换电源的极性或者控制输出电压的稳压,尤其是在需要负电源的设计中,确保系统稳定、效率高。

4. **正负电源系统 (Positive and Negative Power Supply Systems)**
在一些 **正负电源系统** 中,**SiHFD9110-E3-VB** 可以被用于负电压的开关控制。在对电源系统中使用的 MOSFET要求有高可靠性和低功耗的情况下,适合这种设计需求,特别是在 **音频放大器** 或 **高保真音频设备** 中的电源管理电路。

5. **电压反转和信号调节电路 (Voltage Inversion and Signal Conditioning)**
在一些 **信号调节电路** 中,双极 P-Channel MOSFET 也可以用来实现电压反转。**SiHFD9110-E3-VB** 能够反向电源电压,支持电路的稳定性,应用于一些需要对信号进行反向转换的 **音频、视频设备** 或 **传感器模块**。

6. **汽车电子 (Automotive Electronics)**
该 MOSFET 在 **汽车电子** 中的应用包括低功率电源控制和电池电源管理,能够为汽车电子提供稳定的电流控制。在 **汽车照明系统** 或 **车载电池管理系统** 中,SiHFD9110-E3-VB 能够高效地控制电源电流。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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