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SiHFBE30-E3-VB 产品详细

产品简介:

产品简介 - SiHFBE30-E3-VB

**SiHFBE30-E3-VB** 是一款 **单极 N-Channel MOSFET**,采用 **TO220** 封装,适用于高电压应用。其 **850V** 的漏源电压(VDS)使其能够在高电压环境中稳定工作,尤其适用于电源开关、功率控制以及其他需要高耐压的应用场合。该 MOSFET 采用 **Plannar** 技术,具备 **2700mΩ** 的导通电阻(RDS(ON)@VGS=10V),能够在低电流下提供高可靠性。

虽然其 **4A** 的最大漏极电流(ID)相较于高功率MOSFET较低,但该器件依然能够满足中等功率设备的要求,尤其是在高电压系统中。它适用于高电压控制应用,如 **电源开关、逆变器、功率调节模块** 等,并且在环境要求较高的情况下也能保持稳定工作。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A 2700mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装类型 (Package)**: TO220
- **配置 (Configuration)**: 单极 N-Channel MOSFET
- **漏源电压 (VDS)**: 850V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2700mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 4A
- **最大功率耗散 (Pd)**: 50W
- **工作温度范围 (Tj)**: -55°C 至 150°C
- **栅电荷 (Qg)**: 16nC @ VDS = 500V, VGS = 10V
- **反向恢复时间 (trr)**: 500ns
- **技术 (Technology)**: Plannar

领域和模块应用:

适用领域和模块举例

1. **高压电源开关 (High-Voltage Power Switches)**
**SiHFBE30-E3-VB** 由于其 **850V** 的漏源电压,非常适合应用于 **高电压电源开关**。在需要高电压耐受能力的电源系统中,尤其是在 **AC-DC 转换器**、**高压电池充电器** 或 **电动汽车(EV)充电模块** 中,可以有效地执行电源开关操作,保证电路的高效与安全运行。

2. **逆变器 (Inverters)**
该 MOSFET 适合在 **逆变器** 中使用,特别是在 **太阳能逆变器**、**UPS(不间断电源系统)**、以及工业 **电力变换系统**中。逆变器通常需要处理高电压和较为复杂的电流流动,通过使用高压耐受MOSFET,能够确保转换效率的同时,降低损耗并提升系统稳定性。

3. **功率调节模块 (Power Regulation Modules)**
**SiHFBE30-E3-VB** 的低漏极电流和相对较低的导通电阻使其成为 **功率调节模块**(如 **DC-DC 转换器**)中的理想选择。该 MOSFET 在这些模块中可以有效地控制电压和电流的转换,尤其适用于需要较高电压稳定性的高效能电源管理。

4. **电力传输系统 (Power Transmission Systems)**
在一些要求高耐压和高可靠性的 **电力传输系统**中,**SiHFBE30-E3-VB** 能够承受较高的电压(如在 **高压直流传输系统(HVDC)**)中稳定工作,确保系统中的功率流转和信号传输能够高效进行。它还可应用于 **电网连接**和 **电力分配**中,帮助确保系统的稳定性和安全性。

5. **高压保护电路 (High-Voltage Protection Circuits)**
该 MOSFET 可用于 **高压保护电路**,如用于电池保护、开关电源中的过压保护等。这些应用中,MOSFET 需要承受快速变化的电压,并且快速响应,以确保电路在出现电压过高的情况下能够立即断开,防止电路受损。

6. **工业自动化系统 (Industrial Automation Systems)**
在一些 **工业自动化系统**中,**SiHFBE30-E3-VB** 可以作为控制信号放大器或电源管理组件,支持 **高电压设备** 的精确控制。它常用于工业机器人的 **电源管理模块** 或 **驱动电路**,确保设备在高负载、高电压环境下的稳定性和高效运作。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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