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SiHFB17N50L-VB 产品详细

产品简介:

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SiHFB17N50L-VB 是一款高性能N沟道MOSFET,采用TO220封装,适用于高压开关应用。该MOSFET具有650V的最大漏极源极电压(VDS),使其能够处理较高电压的电力转换和开关电路。其最大漏极电流为15A,能够支持中高功率应用。产品采用了SJ_Multi-EPI技术,这使得该MOSFET具备了优异的开关特性和较低的导通电阻(RDS(ON)为220mΩ@VGS=10V)。该MOSFET具有3.5V的栅极阈值电压(Vth),能够以较低的栅极驱动电压开启,适用于高效率电源设计、电动工具以及其他高功率负载控制应用。

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**SiHFB17N50L-VB MOSFET

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 15A 220mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 15A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 15A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
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- **型号**:SiHFB17N50L-VB
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单个N-Channel
- **最大漏极源极电压(VDS)**:650V
- **栅极源极电压(VGS)**:±30V
- **栅极阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 220mΩ @VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:15A
- **技术类型**:SJ_Multi-EPI技术

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**SiHFB17N50L-VB MOSFET

领域和模块应用:

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1. **开关电源(SMPS)**
SiHFB17N50L-VB 适用于高压开关电源(SMPS)应用,尤其是需要650V电压耐受能力的电源模块。它可以作为主开关元件用于AC-DC转换器、DC-DC转换器及其逆变器设计中,具有较低的导通电阻和良好的开关特性,确保高效的电源转换和较低的功耗。

2. **电动工具和家电**
在电动工具和其他家电设备中,SiHFB17N50L-VB能够作为功率开关用于电机驱动系统、调速器以及电池管理系统。其能够处理较高的电压和电流,保证电动工具在高功率负载下的可靠性和耐用性。

3. **电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)**
在电动汽车和混合动力汽车应用中,SiHFB17N50L-VB可作为电力变换器和电机驱动系统中的核心开关元件。由于其高耐压(650V),它适用于电动汽车的电池管理、功率转换和电机控制系统中,提供高效的电力转换并提高整体能效。

4. **电力电子和能源系统**
SiHFB17N50L-VB 是高效电力电子应用的理想选择,例如在太阳能逆变器、电力转换器以及不间断电源(UPS)系统中。其高耐压能力使其能够处理能源系统中的高电压环境,同时其低RDS(ON)特性能够减少开关损耗,提高系统整体效率。

5. **高频开关应用**
在一些高频开关电路中,SiHFB17N50L-VB的开关速度和低导通电阻使其成为理想选择。它可以在通信设备、电源适配器和其他需要快速开关的应用中提供高效的电力转换。

通过这些应用领域,SiHFB17N50L-VB MOSFET 能够满足高电压、高电流、低损耗和高效率的要求,广泛适用于多种高功率电子设备和电源管理系统中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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