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SiA907EDJT-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

SiA907EDJT-T1-GE3-VB 产品简介

**SiA907EDJT-T1-GE3-VB** 是一款 **双P通道 MOSFET**,采用 **DFN6(2X2)-B** 封装,具有紧凑的尺寸,适用于高密度电路设计。该 MOSFET 的 **最大漏源电压 (VDS)** 为 **-30V**,适合低压工作环境,并能够提供高效的电流开关能力。其 **栅源电压 (VGS)** 最大为 **±12V**,适应广泛的控制电压范围。**阈值电压 (Vth)** 为 **-1.7V**,使得该 MOSFET 在低栅电压下即可启动,从而提高了开关效率。

**SiA907EDJT-T1-GE3-VB** 的 **导通电阻 (RDS(ON))** 分别为 **60mΩ** @VGS=4.5V 和 **38mΩ** @VGS=10V,这使得它在工作过程中表现出低功率损耗的特性,能够在更高的电流和更小的体积下高效工作。其 **最大漏极电流 (ID)** 为 **-5.4A**,适用于中等功率的开关应用。采用 **Trench 技术**,该 MOSFET 在高频率开关中具有优越的性能,能够提供较低的导通电阻和更小的开关损耗。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-P+P -30V -1.7V -5.4A 38mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN6(2X2)-B Dual-P+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-P+P -30V -1.7V -5.4A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-P+P -30V -1.7V -5.4A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN6(2X2)-B Dual-P+P
SiA907EDJT-T1-GE3-VB 详细参数说明

- **封装类型**:DFN6(2X2)-B
- **配置**:双P通道
- **最大漏源电压 (VDS)**:-30V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±12V
- **阈值电压 (Vth)**:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- **60mΩ** @VGS=4.5V
- **38mΩ** @VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:-5.4A
- **技术**:Trench 技术
- **工作温度范围**:-55°C 到 +150°C

领域和模块应用:

适用领域和模块举例

1. **电源管理系统**
在 **电源管理** 系统中,**SiA907EDJT-T1-GE3-VB** 可用作 **负载开关** 或 **DC-DC 转换器** 中的开关元件。其低 **RDS(ON)** 和高电流能力使其非常适合用于 **高效电源管理**,例如 **电池充电器** 和 **智能电源适配器** 中,能够高效地控制电流和电压转换,优化功率效率,减少能量损失。

2. **电池管理系统(BMS)**
该 MOSFET 可用于 **电池管理系统(BMS)**,尤其是在 **便携式设备** 或 **电动工具** 中。通过提供低功耗的开关控制,**SiA907EDJT-T1-GE3-VB** 能够高效地管理电池的充放电过程,并确保电池的安全性和长效性。其优越的导通特性有助于提高电池的工作效率。

3. **电动机驱动控制**
在 **电动机驱动控制** 模块中,特别是 **直流电机控制** 系统中,**SiA907EDJT-T1-GE3-VB** 作为开关元件,能够提供精准的电流控制和高效的电动机驱动。适用于 **家用电器**、**电动工具** 和 **工业自动化系统** 中,能够保证电动机的稳定运行和高效启动。

4. **高效开关电源(SMPS)**
**SiA907EDJT-T1-GE3-VB** 在 **开关电源**(SMPS)系统中作为 **开关元件**,可用于各种功率转换模块,例如 **降压转换器**(Buck Converter)和 **升压转换器**(Boost Converter)。其低 **RDS(ON)** 和高电流承载能力,使得其能够减少系统中的功率损失,提高整个电源的工作效率,广泛应用于 **通信设备**、**LED 驱动电源**、**电源适配器** 等领域。

5. **汽车电子系统**
在 **汽车电子系统** 中,特别是 **车载电源管理** 和 **电池管理** 系统中,**SiA907EDJT-T1-GE3-VB** 可以作为 **负载开关**、**电流控制** 或 **电压转换** 组件。其高效的电流开关特性和低功耗性能使其适用于车载电源系统,确保电气系统的稳定性与效率,尤其适合 **混合动力汽车** 和 **电动汽车** 中的电池和电源管理模块。

6. **集成电路保护**
该 MOSFET 可用于 **电路保护** 应用,如 **短路保护** 和 **过电流保护**。其低导通电阻使其能够有效地进行高频开关,从而减少开关过程中的损耗,避免过热问题并保护电路中的其他元件。适用于 **智能电池管理系统**(BMS)和 **功率监测系统**。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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