产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN6(2X2)-B |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±7A |
|
|
18/32mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN6(2X2)-B |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN6(2X2)-B |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±7A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN6(2X2)-B |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±7A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| DFN6(2X2)-B |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
|
|
2. 详细参数说明
- **型号**:SiA517DJ-T1-GE3-VB
- **封装**:DFN6(2x2)-B
- **配置**:双 N+P 通道 MOSFET
- **漏源电压(V_DS)**:±30V
- **门源电压(V_GS)**:±20V
- **阈值电压(V_th)**:
- **N 通道**:1.6V
- **P 通道**:-1.7V
- **导通电阻(R_DS(on))**:
- **N 通道**:
- 24mΩ @ **V_GS = 4.5V**
- 18mΩ @ **V_GS = 10V**
- **P 通道**:
- 40mΩ @ **V_GS = 4.5V**
- 32mΩ @ **V_GS = 10V**
- **最大漏电流(I_D)**:±7A
- **技术**:Trench 技术
- **功耗**:低导通电阻,适用于高效能电源系统
领域和模块应用:
3. 应用领域和模块示例
**1. 电池管理系统(BMS)**
- **应用场景**:SiA517DJ-T1-GE3-VB 可以在电池管理系统中用作电池的开关和保护器件,提供电流切换和过电流保护,确保电池安全工作。
- **例子**:在电动工具、可充电电池组以及电动汽车的电池管理系统中,MOSFET 被用来实现电池的过流保护、充放电控制以及负载管理。
**2. DC-DC 转换器**
- **应用场景**:此 MOSFET 可用于电源转换模块中,特别是作为 **高效开关元件**,在 **Buck** 或 **Boost 转换器** 中提供精确的电源转换和电压调节。
- **例子**:在便携式电源适配器、LED 驱动电源和其他电池供电设备中,SiA517DJ-T1-GE3-VB 可用作 DC-DC 转换器的开关元件,以高效地管理电压和电流转换。
**3. 电机驱动电路**
- **应用场景**:由于该 MOSFET 的双极性特性(N 通道和 P 通道),它非常适合用于电机驱动的 H-Bridge 电路中,能够有效地控制电动机的正反转方向和转速。
- **例子**:在机器人、电动工具和家用电器中,SiA517DJ-T1-GE3-VB 可用于电动机的驱动,特别是在需要正反转控制的场合,如电动窗帘、电动门等设备。
**4. 开关电源(SMPS)**
- **应用场景**:该双 N+P 通道 MOSFET 适合用于 **开关电源(SMPS)**,通过高效开关控制降低功率损耗,提升系统效率。
- **例子**:在 LED 驱动电源、电源适配器和其他低功耗消费类电子产品中,SiA517DJ-T1-GE3-VB 可以提供高效的电源管理,确保电压转换的稳定性和可靠性。
**5. 电流保护电路**
- **应用场景**:SiA517DJ-T1-GE3-VB 也可以用于电流保护电路中,防止电流过载或短路情况发生。其 **低 R_DS(on)** 和高电流能力使其在保护电路中表现优异。
- **例子**:在各种电池供电设备、电源模块及电动工具中,MOSFET 可以用来防止设备因过电流而损坏,确保安全运行。
**6. 高频信号开关**
- **应用场景**:由于其低导通电阻和快速开关性能,SiA517DJ-T1-GE3-VB 也可应用于高频信号切换和高效信号传输。
- **例子**:在射频(RF)电路和通信设备中,MOSFET 可以用于快速开关信号路径,确保信号传输的质量和效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性