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SI7652DP-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

**产品简介:**
**SI7652DP-T1-GE3-VB** 是一款采用 DFN8(5X6) 封装的单极 N 型 MOSFET,具有较高的电流处理能力和低导通电阻,非常适合用于高效能电源系统中。它的最大漏源电压(VDS)为 30V,最大门源电压(VGS)为 ±20V。该 MOSFET 的开启电压(Vth)为 1.7V,能够提供极低的导通电阻(RDS(ON) 为 7mΩ@VGS=10V 和 9mΩ@VGS=4.5V),从而有效减少开关过程中的功耗和热量。凭借其 Trench 技术,SI7652DP-T1-GE3-VB 能够提供高效的电流传输,适用于各种电源管理和高频开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
**详细参数说明:**

- **型号:** SI7652DP-T1-GE3-VB
- **封装:** DFN8(5X6)
- **配置:** 单极 N 型 MOSFET
- **VDS(漏源电压):** 30V(最大值)
- **VGS(门源电压):** ±20V(最大值)
- **Vth(开启电压):** 1.7V
- **RDS(ON):**
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **ID(漏极电流):** 80A(最大值)
- **技术:** Trench(深沟槽技术)
- **工作温度范围:** -55°C 至 +150°C(具体范围请参照数据手册)

领域和模块应用:

**适用领域和模块举例:**

1. **高效电源管理:**
- SI7652DP-T1-GE3-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使它在高效电源管理系统中非常适合应用。在 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、电池管理系统(BMS)等电源模块中,MOSFET 能够作为高效的开关元件,减少功率损失并提高效率。
- 例如,在移动设备充电器中,MOSFET 可以帮助转换器在较低温度下运行,从而提高设备的整体能效和稳定性。

2. **电动汽车(EV)与混合动力车辆(HEV):**
- 在电动汽车的电池管理系统(BMS)和电动驱动控制中,SI7652DP-T1-GE3-VB 由于其高电流容量和低功率损耗的特性,非常适合用作电池开关元件或功率转换器。它能够在电动车的驱动电机、动力总成中提供高效的电流调节,提升续航里程。
- 例如,在电动汽车的电机驱动控制模块中,MOSFET 负责快速切换电流,使驱动系统能够高效地运行,减少能量浪费。

3. **服务器电源与数据中心:**
- 在数据中心和高性能计算系统中,稳定和高效的电源转换至关重要。SI7652DP-T1-GE3-VB 作为功率转换器中的核心开关元件,能够有效降低 DC-DC 转换器的能量损失并提高系统整体的电力效率。
- 例如,在服务器电源模块中,MOSFET 可用于处理负载电流的快速切换,并实现电源转换过程中的高效工作,保持稳定的电压输出。

4. **通信设备:**
- SI7652DP-T1-GE3-VB 在通信设备中的应用主要集中在高效电源供电系统中,尤其是在功率放大器(PA)和射频模块中。它能够在高频率下提供低损耗的电流开关,使得射频和通信信号更加稳定。
- 例如,在无线基站、卫星通信系统和其他通信设备的电源模块中,MOSFET 可以帮助调节供电电压,同时保证高效传输和低热损耗。

5. **消费电子产品:**
- 在消费电子设备如笔记本电脑、电视和家电产品的电源模块中,SI7652DP-T1-GE3-VB 提供了高效的电源转换和电流切换,优化设备的性能和降低功耗。其低导通电阻特性使得它在这些应用中非常适用。
- 例如,在笔记本电脑的电源适配器中,MOSFET 可有效减小功率损耗并提高系统效率,使设备能够更快充电并延长使用时间。

总体而言,**SI7652DP-T1-GE3-VB** 是一款适用于各种高效电源管理、功率转换、通信设备、以及电动汽车等领域的高性能 N 型 MOSFET,能够提供出色的电流开关效率和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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