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SI7625DN-VB 产品详细

产品简介:

1. **产品简介(SI7625DN-VB)**

**SI7625DN-VB** 是一款单极 P-Channel 功率 MOSFET,采用 DFN8(3×3)封装,具有高度集成的结构和出色的电流传输能力。该 MOSFET 专为需要高效能、低导通电阻(RDS(ON))的应用设计,广泛应用于低电压和高效率电源管理、电池保护、开关电源、马达驱动以及高功率密度的应用中。其 RDS(ON) 在 VGS=10V 下为 11mΩ,能够确保在高负载下实现更低的能量损失和热量积聚,从而提高系统的整体效率。

此 MOSFET 的额定漏源电压(VDS)为 -30V,能够处理高达 -45A 的漏极电流。采用 Trench 技术,确保了更低的导通电阻和更快的开关性能,因此广泛应用于对功率损耗和效率有严格要求的现代电力电子设备。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-P -30V -2.5V -45A 11mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-P -30V -2.5V -45A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-P -30V -2.5V -45A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3) Single-P
2. **详细参数说明**

| **参数** | **描述** |
|------------------|------------------------------------------------------------|
| **型号** | SI7625DN-VB |
| **封装类型** | DFN8(3×3) |
| **配置** | 单极 P-Channel |
| **VDS(漏源电压)** | -30V |
| **VGS(栅源电压)** | ±20V |
| **Vth(开启电压)** | -2.5V |
| **RDS(ON)(导通电阻)** | 18mΩ(VGS=4.5V) / 11mΩ(VGS=10V) |
| **ID(漏极电流)** | -45A |
| **技术** | Trench |
| **额定功率** | 适用于低功耗、高效率系统 |
| **工作温度范围** | -55°C 到 150°C |

领域和模块应用:

3. **应用领域与模块示例**

#### 1) **电池保护电路**
SI7625DN-VB 可在电池保护电路中使用,尤其是在需要高效电流切换的电池充放电管理系统中。由于其低 RDS(ON),该 MOSFET 能够减少在充电和放电过程中产生的功率损耗,延长电池的使用寿命,并有效防止电池过充和过放带来的风险。

#### 2) **高效电源转换模块**
在高效电源转换应用中(如 DC-DC 转换器),SI7625DN-VB 由于其较低的导通电阻和高电流处理能力,非常适合用于提高功率转换效率。该 MOSFET 可用于电压转换、电源管理模块以及需要优化能量传输效率的场景。

#### 3) **马达驱动器**
在马达驱动器应用中,SI7625DN-VB 的高电流能力和快速开关特性,使其适合用作驱动电机的开关元件。无论是无刷直流电机(BLDC)还是步进电机,它都能够提供稳定的电流控制,减少系统的能量损耗,提高马达运行的整体效率。

#### 4) **负载开关**
该 MOSFET 在高效负载开关应用中表现优异,尤其是在快速切换电流时。利用其低导通电阻和高电流能力,能够在较低的功率损失情况下,高效地切换负载电流。常见的应用场景包括电源管理模块和智能电力控制系统。

#### 5) **汽车电子**
在汽车电子领域,SI7625DN-VB 可作为功率开关元件,应用于车载电池管理、功率转换和电气系统中。其高耐压和稳定性使其适用于恶劣的环境条件,提供可靠的性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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