SI7447ADP-T1-GE3-VB - VBsemi MOS管制造商

SI7447ADP-T1-GE3-VB 产品详细

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产品简介：

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SI7447ADP-T1-GE3-VB 是一款单P沟道 MOSFET，采用 DFN8(5X6) 封装，专为低压高电流应用设计。它的最大漏源电压 (VDS) 为-30V，能够承受高达120A的漏电流，具有极低的导通电阻，分别为 6mΩ（VGS=4.5V）和 4mΩ（VGS=10V）。该产品采用 Trench 技术，提供出色的开关性能和热管理特性。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-P	-30V		-3V	-120A			4mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-P	-30V		-3V	-120A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-P	-30V		-3V	-120A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(5X6)	Single-P

详细参数说明：
- **封装**：DFN8(5X6)
- **配置**：单P沟道
- **VDS（漏源电压）**：-30V
- **VGS（栅源电压）**：±20V
- **Vth（阈值电压）**：-3V
- **RDS(ON)（导通电阻）**：6mΩ（VGS=4.5V），4mΩ（VGS=10V）
- **ID（最大漏电流）**：-120A
- **技术**：Trench 技术

领域和模块应用：

适用领域与模块：
该MOSFET在电源管理、DC-DC 转换器、高效电池供电系统中具有重要应用。其低导通电阻使其在需要高电流传输的电源模块中尤为重要，适用于电动汽车 (EV) 电池管理系统、逆变器和太阳能电池板的电源调节模块。此外，它还可用于数据中心的电源供应系统、高性能计算机的电源模块和其他高效电力转换系统，能够在高频开关环境下提供稳定的性能。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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