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SI7308DN-VB 产品详细

产品简介:

SI7308DN-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,采用 DFN8 (3x3) 封装,具有较低的导通电阻和良好的高效性能。它的漏源电压 (VDS) 为 60V,栅源电压 (VGS) 为 ±20V,适合用于中低压电源管理、负载开关以及其他高效开关应用。该 MOSFET 的栅阈值电压 (Vth) 为 2.5V,意味着它能够在较低的驱动电压下启用,适合于低功耗控制。SI7308DN-VB 的导通电阻非常低,在 VGS=10V 时为 12mΩ,VGS=4.5V 时为 15mΩ,提供极低的导通损耗,并具有较高的电流承载能力,ID 最大为 15A。该 MOSFET 使用 Trench 技术,能够在较低的驱动电压下提供高效的电流传导性能,并降低开关损耗。它广泛应用于电源转换、电池管理和负载开关等领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 60V 2.5V 45A 15mΩ 12mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 60V 2.5V 45A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 60V 2.5V 45A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3) Single-N

SI7308DN-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装**:DFN8 (3x3)
- **配置**:单 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**:2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 15mΩ @ VGS = 4.5V
 - 12mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**:45A
- **技术**:Trench(深沟槽技术),通过减少导通电阻和开关损耗,优化了电流传导效率。

领域和模块应用:


SI7308DN-VB MOSFET 应用领域与模块

1. **电源管理与电源转换**:  
  SI7308DN-VB 由于其低导通电阻和较高的电流承载能力,广泛应用于电源管理系统,尤其是在中低压电源转换器、直流-直流转换器 (DC-DC converters) 和电源模块中。它在电源转换中能够有效降低损耗,提供高效的电压转换和功率管理,适合用于通信设备、汽车电子和消费电子产品中的电源设计。

2. **电池管理系统 (BMS)**:  
  SI7308DN-VB 具有低导通电阻和较高的电流能力,使其非常适合在电池管理系统中作为开关元件,特别是在电动汽车 (EV) 电池管理、储能系统和便携式设备中的电池充放电管理中。低导通损耗有助于延长电池寿命并提高充电效率。

3. **负载开关与高效开关电源**:  
  由于其较低的 RDS(ON) 和较高的电流承载能力,SI7308DN-VB 可用于高效负载开关应用,尤其适用于需要控制大电流负载的场景。在智能家居、工业自动化和通信设备等应用中,它能够有效控制电流,并提高系统的整体效率和可靠性。

4. **电动工具与电机驱动**:  
  该 MOSFET 的低 RDS(ON) 和较高的电流能力,使其在电动工具和电机驱动系统中非常适用。特别是在无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机驱动器中,SI7308DN-VB 提供了高效的电力传输,减少了功率损失,并提高了驱动效率。

5. **汽车电子与车载电源**:  
  在汽车电子应用中,SI7308DN-VB 可以用于车载电源管理系统,作为电压转换模块的开关元件,特别是在电池电源系统和充电器中。其高效的电流管理和低导通电阻使其非常适合用于汽车电池管理系统和电动汽车的高效充电控制。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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