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SI7139DP-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:

**SI7139DP-T1-GE3-VB** 是一款高性能的单P通道功率MOSFET,采用先进的**Trench**技术,具有超低的导通电阻和高电流处理能力。该MOSFET封装采用**DFN8(5X6)**,提供卓越的散热性能,适用于高功率应用。其具有最大**V_DS**为**-30V**,**V_GS**为20V(±),且低导通电阻**R_DS(on)**(6mΩ @ V_GS = 4.5V 和 4mΩ @ V_GS = 10V),能够支持**-120A**的高电流输出,适合于要求高效率和高功率密度的系统。

该MOSFET具有优秀的热管理特性和低开关损耗,使其非常适用于高负载、高效能的电源系统,特别是在**负载开关、逆变器、电动汽车、以及电源管理模块**等应用中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-P -30V -3V -120A 4mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-P -30V -3V -120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-P -30V -3V -120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-P
详细参数说明:

- **封装类型**:DFN8(5X6)
- **配置**:单P通道
- **最大漏源电压(V_DS)**:-30V
- **栅源电压(V_GS)**:±20V
- **阈值电压(V_th)**:-3V
- **导通电阻(R_DS(on))**:
- 6mΩ @ V_GS = 4.5V
- 4mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流(I_D)**:-120A
- **技术**:Trench 技术
- **工作温度范围**:-55°C 到 150°C
- **最大功率损耗**:能够承受高电流负载,确保系统稳定运行

领域和模块应用:

产品适用领域与模块:

**1. 电源管理与DC-DC转换:**
由于其低导通电阻和高电流承载能力,**SI7139DP-T1-GE3-VB** MOSFET广泛应用于**DC-DC转换器**、**电源管理模块**、以及负载开关系统。其超低的R_DS(on)能够显著减少功率损耗,提升电源的效率,尤其在大电流应用中表现优异。

**2. 电动汽车与汽车电子:**
在电动汽车(EV)中,该MOSFET可以用于**电池管理系统(BMS)**、**电动驱动系统**以及**充电模块**,提供高效的电流开关能力和较低的热生成,适应恶劣的工作环境和高负载需求。其高电流能力(-120A)使其能够处理大电流的电池和电机驱动。

**3. 逆变器与电力控制:**
该MOSFET也非常适用于**太阳能逆变器**、**UPS电源**、以及其他电力控制系统,提供极低的导通电阻和快速的开关性能,有助于提升逆变器的整体效率,减少功耗和热损失。

**4. 高效能开关电源:**
在高功率和高效能的开关电源应用中,如高功率LED驱动、工业电源和通信设备,该MOSFET能够提供极低的导通损耗,确保系统稳定工作,并最大限度地减少温升和功率损失。

通过采用**SI7139DP-T1-GE3-VB** MOSFET,设计人员可以有效提升高功率系统的效率和性能,同时降低整体散热和功耗,满足各种高负载应用的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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