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SI4925BDY-T1-E3-VB 产品详细

产品简介:

SI4925BDY-T1-E3-VB MOSFET 产品简介

SI4925BDY-T1-E3-VB 是一款双极P+P型沟道MOSFET,采用SOP8封装,专为低电压高效能的电源转换和负载管理应用设计。此型号具有-30V的最大漏源电压(VDS)和±12V的栅源电压(VGS)范围,适合需要高开关效率和低功率损耗的环境。其导通电阻(RDS(ON))为28mΩ(VGS=4.5V)和21mΩ(VGS=10V),能够在较大电流下提供优异的性能。最大漏电流(ID)为-8A,且采用Trench技术,能够在提供高电流和稳定工作环境的同时,确保最低的功率损耗。

该MOSFET特别适用于需要双极P+P型开关的场景,在电源管理系统中起到关键作用,尤其是在负载开关、电池管理以及高效电源转换应用中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-P+P -30V -1.7V -8A 21mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-P+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-P+P -30V -1.7V -8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-P+P -30V -1.7V -8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-P+P
SI4925BDY-T1-E3-VB MOSFET 详细参数说明

- **型号**:SI4925BDY-T1-E3-VB
- **封装形式**:SOP8
- **配置**:双极P+P型沟道
- **最大漏源电压(VDS)**:-30V
- **最大栅源电压(VGS)**:±12V
- **阈值电压(Vth)**:-1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- 21mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流(ID)**:-8A
- **技术**:Trench技术
- **工作温度范围**:-55°C 到 +150°C
- **最大功率耗散(Pd)**:75W(典型值)

领域和模块应用:

SI4925BDY-T1-E3-VB MOSFET 应用领域与模块示例

1. **电源管理与DC-DC转换器**
- SI4925BDY-T1-E3-VB 在电源管理系统中非常适合用作DC-DC转换器的开关元件。由于其低导通电阻,能够有效降低转换过程中的功率损耗,提升效率。这使得它在电源适配器、电池充电器及其他便携式设备中的电源转换模块中非常适用,尤其是在要求高效能和低功耗的场合。

2. **负载开关和电池保护**
- 作为双极P+P型MOSFET,SI4925BDY-T1-E3-VB 适用于负载开关及电池管理系统(BMS)中,用于控制电流流动并保护电池免受过流损害。低RDS(ON)特性使其在负载开关中能够有效减少功率损失,提供高效电源控制,特别适用于电动工具、电动玩具、移动电源等需要高效负载管理的系统。

3. **电池管理系统(BMS)**
- 在电池管理系统中,SI4925BDY-T1-E3-VB 可作为开关元件,用于电池的充电和放电过程的电流控制。特别是在电动汽车、便携式设备及太阳能电池系统中,MOSFET能够保证电池在高效的电流控制下安全运行。其低导通电阻能够有效减少热损耗,延长系统的使用寿命。

4. **无线充电系统**
- 在无线充电系统中,SI4925BDY-T1-E3-VB 可用于电源管理模块中的开关控制,保证充电过程中电流的稳定流动。此MOSFET通过高效的功率转换,能够确保无线充电器在不同负载条件下保持高效和稳定的工作性能。

5. **消费电子和家电**
- 在消费电子设备和家电中,SI4925BDY-T1-E3-VB 适用于电源适配器、电池管理模块及各种开关电源设计。特别是在要求较低功耗和高效率的电视、音响系统、计算机和小家电中,该MOSFET能够提供稳定的电流控制和低功率损耗。

6. **逆变器和电动驱动系统**
- 在逆变器和电动驱动系统中,SI4925BDY-T1-E3-VB 可以作为高效电流控制的开关元件,尤其是在直流到交流(DC-AC)转换器中。它能够有效减少功率损失,并提高驱动系统的效率,适用于太阳能逆变器、电动机驱动等应用领域。

通过其低RDS(ON)特性、较高的电流承载能力以及双极P+P型沟道设计,SI4925BDY-T1-E3-VB MOSFET 能在多个应用领域中提供高效、稳定的性能,尤其适用于电源管理、电池保护和高效电流控制等关键应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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