产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P |
-30V |
|
-1.7V |
-8A |
|
|
21mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P |
-30V |
|
-1.7V |
-8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P |
-30V |
|
-1.7V |
-8A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Dual-P+P |
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SI4925BDY-T1-E3-VB MOSFET 详细参数说明
- **型号**:SI4925BDY-T1-E3-VB
- **封装形式**:SOP8
- **配置**:双极P+P型沟道
- **最大漏源电压(VDS)**:-30V
- **最大栅源电压(VGS)**:±12V
- **阈值电压(Vth)**:-1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- 21mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流(ID)**:-8A
- **技术**:Trench技术
- **工作温度范围**:-55°C 到 +150°C
- **最大功率耗散(Pd)**:75W(典型值)
领域和模块应用:
SI4925BDY-T1-E3-VB MOSFET 应用领域与模块示例
1. **电源管理与DC-DC转换器**
- SI4925BDY-T1-E3-VB 在电源管理系统中非常适合用作DC-DC转换器的开关元件。由于其低导通电阻,能够有效降低转换过程中的功率损耗,提升效率。这使得它在电源适配器、电池充电器及其他便携式设备中的电源转换模块中非常适用,尤其是在要求高效能和低功耗的场合。
2. **负载开关和电池保护**
- 作为双极P+P型MOSFET,SI4925BDY-T1-E3-VB 适用于负载开关及电池管理系统(BMS)中,用于控制电流流动并保护电池免受过流损害。低RDS(ON)特性使其在负载开关中能够有效减少功率损失,提供高效电源控制,特别适用于电动工具、电动玩具、移动电源等需要高效负载管理的系统。
3. **电池管理系统(BMS)**
- 在电池管理系统中,SI4925BDY-T1-E3-VB 可作为开关元件,用于电池的充电和放电过程的电流控制。特别是在电动汽车、便携式设备及太阳能电池系统中,MOSFET能够保证电池在高效的电流控制下安全运行。其低导通电阻能够有效减少热损耗,延长系统的使用寿命。
4. **无线充电系统**
- 在无线充电系统中,SI4925BDY-T1-E3-VB 可用于电源管理模块中的开关控制,保证充电过程中电流的稳定流动。此MOSFET通过高效的功率转换,能够确保无线充电器在不同负载条件下保持高效和稳定的工作性能。
5. **消费电子和家电**
- 在消费电子设备和家电中,SI4925BDY-T1-E3-VB 适用于电源适配器、电池管理模块及各种开关电源设计。特别是在要求较低功耗和高效率的电视、音响系统、计算机和小家电中,该MOSFET能够提供稳定的电流控制和低功率损耗。
6. **逆变器和电动驱动系统**
- 在逆变器和电动驱动系统中,SI4925BDY-T1-E3-VB 可以作为高效电流控制的开关元件,尤其是在直流到交流(DC-AC)转换器中。它能够有效减少功率损失,并提高驱动系统的效率,适用于太阳能逆变器、电动机驱动等应用领域。
通过其低RDS(ON)特性、较高的电流承载能力以及双极P+P型沟道设计,SI4925BDY-T1-E3-VB MOSFET 能在多个应用领域中提供高效、稳定的性能,尤其适用于电源管理、电池保护和高效电流控制等关键应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性