产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Half-Bridge-N+N |
30V |
|
1.7V |
6.8/10A |
|
|
18mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Half-Bridge-N+N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Half-Bridge-N+N |
30V |
|
1.7V |
6.8/10A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Half-Bridge-N+N |
30V |
|
1.7V |
6.8/10A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Half-Bridge-N+N |
|
|
|
|
|
|
|
主要参数说明
| **参数** | **值** |
|-----------------|-------------------------|
| **封装** | SOP8 |
| **配置** | 半桥N+N通道MOSFET |
| **V_DS(漏极-源极电压)** | 30V |
| **V_GS(栅极-源极电压)** | ±20V |
| **V_th(门槛电压)** | 1.7V |
| **R_DS(ON)(导通电阻)** | 21.6mΩ(V_GS = 4.5V),18mΩ(V_GS = 10V) |
| **I_D(漏极电流)** | 6.8A(低侧),10A(高侧) |
| **技术** | Trench |
领域和模块应用:
应用领域与模块
1. **电源管理与DC-DC转换器**
**SI4830CDY-VB** 的低导通电阻使其成为**DC-DC转换器**、**电源稳压器**等电源管理模块的理想选择。在**电池供电设备**、**电源适配器**、**计算机电源模块**中,能够有效提高功率转换效率,降低热损耗,从而提升设备的整体能效和稳定性。
2. **电池管理系统(BMS)**
在**电池管理系统(BMS)**中,SI4830CDY-VB可用来控制电池的充放电过程。其低导通电阻确保在高电流传输时能够减少功率损耗,适用于各种**电动汽车**(EV)及**储能系统**,提高电池的充电效率和电池管理的精确性。
3. **电动驱动系统**
在**电动驱动系统**中,SI4830CDY-VB能够用作功率开关,提供稳定的电流控制,尤其适用于**电动汽车**、**电动工具**和**机器人驱动系统**。低导通电阻和高电流承载能力使得该MOSFET能够有效提升电动机驱动系统的效率,减少能量损耗,增强驱动系统的性能和可靠性。
4. **LED驱动与照明系统**
在**LED驱动系统**中,SI4830CDY-VB作为功率开关元件,能够精确控制LED电流,减少电源中的能量损耗,提高LED灯具的亮度和稳定性。适用于**室内照明**、**汽车LED灯具**、**显示屏背光源**等多个LED照明应用领域。
5. **消费电子产品**
在**消费电子产品**中,尤其是需要高效电源管理的设备,SI4830CDY-VB能够为**智能手机、平板电脑、笔记本电脑**等设备提供高效的电源开关解决方案。其低导通电阻和高电流承载能力能够延长电池使用时间,减少设备的热量产生,并提高充电效率。
6. **音频与功率放大应用**
在**音频功率放大器**及其他高功率信号传输应用中,SI4830CDY-VB能够作为开关元件,在信号放大过程中提供高效的电流控制,减少能量损耗。该MOSFET广泛应用于**音响系统、专业音频设备**及高功率应用中,确保信号传输的高保真度和设备的长时间稳定运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性