SI4482DY-T1-E3-VB - VBsemi MOS管制造商

SI4482DY-T1-E3-VB 产品详细

描述
参数
应用
技术支持

产品简介：

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SI4482DY-T1-E3-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SOP8封装，设计用于中高电压应用。该MOSFET支持最大100V的漏极-源极电压（VDS）和9A的漏极电流（ID）。其低导通电阻（RDS(ON)）分别为32mΩ（VGS=10V）和33mΩ（VGS=4.5V），使得其在高效能电源管理和开关应用中表现出色。采用Trench技术，这款MOSFET在提供低导通损耗的同时，还具有高开关速度和优异的热性能，适用于多个领域，如电源转换、负载开关、电池管理等。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-N	100V		1.8V	9A			32mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-N	100V		1.8V	9A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-N	100V		1.8V	9A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOP8	Single-N

：**
- **封装：** SOP8
- **配置：** 单N沟道
- **VDS：** 100V
- **VGS：** ±20V
- **Vth：** 1.8V
- **RDS(ON)：**
- 32mΩ@VGS=10V
- 33mΩ@VGS=4.5V
- **ID：** 9A
- **技术：** Trench技术，提供低RDS(ON)，适合高效能电源管理和开关应用。

**

领域和模块应用：

举例：**
SI4482DY-T1-E3-VB广泛应用于高电压电源管理和控制模块中，特别适合用于**DC-DC转换器**、**电池管理系统**和**开关电源**。例如，在**电动工具**和**电动汽车**的电池管理系统中，MOSFET能够有效控制电池充电与放电过程，从而提高电池的使用寿命和能效。在**通信设备**中，它可以作为高效的电源开关，优化功率分配并降低电力损耗。对于**LED驱动**和**高频功率放大器**等应用，它通过低RDS(ON)值和高开关速度提供高效的能量转换。此外，适用于其他消费电子设备中，如计算机电源管理、外设驱动等领域，确保设备的稳定运行和更长的使用寿命。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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