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SI4226DY-T1-E3-VB 产品详细

产品简介:

1. **产品简介**

SI4226DY-T1-E3-VB 是一款双 N+N-Channel MOSFET,采用 SOP8 封装。该 MOSFET 具有较低的导通电阻(RDS(ON)),适用于低电压高效率的电源管理、电池供电和开关应用。它的最大 VDS(漏源电压)为 20V,最大 VGS(栅源电压)为 ±12V,最大漏极电流 ID 为 7.1A。该产品采用 Trench 技术,具有低导通电阻,分别在 VGS = 4.5V 时为 26mΩ 和 VGS = 10V 时为 19mΩ,非常适合需要高开关效率和低功率损耗的应用。

该 MOSFET 配备了双 N-Channel 配置,提供较强的电流承载能力和高效的开关特性,因此在各种低电压控制系统中,如便携式设备、负载开关和电源管理系统中有广泛应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A 19mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+N
2. **详细参数说明**

- **型号**: SI4226DY-T1-E3-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 双 N+N-Channel
- **VDS(漏源电压)**: 20V
- **VGS(栅源电压)**: ±12V
- **Vth(开启电压)**: 0.5V ~ 1.5V
- **RDS(ON)**:
- 26mΩ @ VGS = 4.5V
- 19mΩ @ VGS = 10V
- **ID(漏极电流)**: 7.1A
- **技术**: Trench 技术(提供低导通电阻和高开关效率)

领域和模块应用:

3. **应用领域及模块示例**

# **1. 电源管理系统(Power Management Systems):**
SI4226DY-T1-E3-VB 在电源管理系统中作为开关元件应用广泛,特别适合用于高效能的 DC-DC 转换器、降压/升压转换器和电池管理系统中。它的低 RDS(ON) 特性能够显著提高转换效率,减少电源损耗,因此在高效电源设计中起到至关重要的作用,特别是在需要高电流驱动且电压较低的环境中。

# **6. 低功率电机驱动(Low-Power Motor Drives):**
该 MOSFET 还可以应用于低功率电机驱动系统,如玩具电动机、模型车、机器人等。由于其低导通电阻和较高的电流承载能力,SI4226DY-T1-E3-VB 能够为这些小型电机提供高效的功率传输,有助于减少电机驱动系统中的功率损耗,并保持系统的高效运行。

总结:
SI4226DY-T1-E3-VB 是一款适用于低电压高效能应用的双 N-Channel MOSFET,具有低导通电阻、较高的电流承载能力和出色的开关性能,广泛应用于电源管理、负载开关、电池供电系统、智能家居、消费电子和低功率电机驱动等领域。通过其高效的性能,该 MOSFET 能够在多种电子设备中提供更高的能源效率和更长的使用寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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