产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-P+P |
-20V |
|
-0.6V |
-1.8A |
235mΩ |
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-P+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-P+P |
-20V |
|
-0.6V |
-1.8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-P+P |
-20V |
|
-0.6V |
-1.8A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SC70-6 |
Dual-P+P |
|
|
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|
|
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2. 详细参数说明:
- **型号**:SI1913EDH-T1-GE3
- **封装类型**:SC70-6
- **配置**:双 P+P 型 MOSFET
- **漏极到源极电压 (VDS)**:-20V(最大)
- **栅极到源极电压 (VGS)**:±12V(最大)
- **开启电压 (Vth)**:-0.6V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 235mΩ @ VGS = 2.5V
- 155mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流 (ID)**:-1.8A
- **技术类型**:Trench 技术
- **工作温度范围**:-55°C 到 150°C(典型)
- **引脚数**:6 引脚
领域和模块应用:
3. 应用领域与模块举例:
#### 低功耗便携设备:
由于其低 RDS(ON) 和良好的开关性能,SI1913EDH-T1-GE3 非常适合用于移动设备、智能手机、平板电脑等低功耗便携式设备的电源管理模块。它能够在这些设备的电池管理电路中高效地控制电流流动,减少能量损耗,从而延长设备的使用时间。
#### 电池供电系统:
该 MOSFET 具有较低的导通电阻,使其在电池供电系统中具有较低的功率损耗,因此非常适合用于电池充电电路以及电池保护电路中。它能够确保电池充电时的效率,并在电池电压过低或过高时提供保护。
#### LED 驱动电路:
在 LED 驱动应用中,SI1913EDH-T1-GE3 可作为高效的开关元件,适用于低压电源供应的照明系统。由于其低导通电阻和较高的开关频率,它能够有效地控制流过 LED 的电流,提升系统效率并延长LED的使用寿命。
#### 负载开关电路:
该 MOSFET 可广泛应用于低电压控制的负载开关电路中,特别适合用于需要快速开关和较低功率损耗的应用。例如,在消费类电子产品中的电源管理模块、计算机硬件的电源开关电路等领域中,SI1913EDH-T1-GE3 都能提供稳定和高效的电源开关功能。
#### 保护电路:
SI1913EDH-T1-GE3 也可作为电路保护组件,用于过电流保护、过压保护等模块中。它能够在电流过大或电压超标时,迅速切断电流,保护后续电路不受损坏,特别适用于一些对电源稳定性要求较高的敏感设备。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性