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SI1913EDH-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

1. 产品简介:SI1913EDH-T1-GE3

SI1913EDH-T1-GE3 是一款具有 SC70-6 封装的双 P 型 MOSFET (P+P-Channel),设计用于低电压高效开关应用。其采用了 Trench 技术,具有良好的导通特性和较低的 RDS(ON),在 2.5V 和 4.5V 的门极驱动电压下,分别能达到 235mΩ 和 155mΩ 的导通电阻。这使其在低电压驱动下具有较低的功率损耗,适用于便携式电子产品、低功耗电路以及其他需要高效开关的场合。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-6 Dual-P+P -20V -0.6V -1.8A 235mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-6 Dual-P+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-6 Dual-P+P -20V -0.6V -1.8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-6 Dual-P+P -20V -0.6V -1.8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC70-6 Dual-P+P
2. 详细参数说明:

- **型号**:SI1913EDH-T1-GE3
- **封装类型**:SC70-6
- **配置**:双 P+P 型 MOSFET
- **漏极到源极电压 (VDS)**:-20V(最大)
- **栅极到源极电压 (VGS)**:±12V(最大)
- **开启电压 (Vth)**:-0.6V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 235mΩ @ VGS = 2.5V
- 155mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流 (ID)**:-1.8A
- **技术类型**:Trench 技术
- **工作温度范围**:-55°C 到 150°C(典型)
- **引脚数**:6 引脚

领域和模块应用:

3. 应用领域与模块举例:

#### 低功耗便携设备:
由于其低 RDS(ON) 和良好的开关性能,SI1913EDH-T1-GE3 非常适合用于移动设备、智能手机、平板电脑等低功耗便携式设备的电源管理模块。它能够在这些设备的电池管理电路中高效地控制电流流动,减少能量损耗,从而延长设备的使用时间。

#### 电池供电系统:
该 MOSFET 具有较低的导通电阻,使其在电池供电系统中具有较低的功率损耗,因此非常适合用于电池充电电路以及电池保护电路中。它能够确保电池充电时的效率,并在电池电压过低或过高时提供保护。

#### LED 驱动电路:
在 LED 驱动应用中,SI1913EDH-T1-GE3 可作为高效的开关元件,适用于低压电源供应的照明系统。由于其低导通电阻和较高的开关频率,它能够有效地控制流过 LED 的电流,提升系统效率并延长LED的使用寿命。

#### 负载开关电路:
该 MOSFET 可广泛应用于低电压控制的负载开关电路中,特别适合用于需要快速开关和较低功率损耗的应用。例如,在消费类电子产品中的电源管理模块、计算机硬件的电源开关电路等领域中,SI1913EDH-T1-GE3 都能提供稳定和高效的电源开关功能。

#### 保护电路:
SI1913EDH-T1-GE3 也可作为电路保护组件,用于过电流保护、过压保护等模块中。它能够在电流过大或电压超标时,迅速切断电流,保护后续电路不受损坏,特别适用于一些对电源稳定性要求较高的敏感设备。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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