产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
3.28/-2.8A |
110/190mΩ |
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
3.28/-2.8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
3.28/-2.8A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
|
|
2. 详细参数说明:
- **型号**:SI1563DH-T1-GE3-VB
- **封装**:SC70-6
- **配置**:双 N 通道 + P 通道(Dual-N+P-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:±20V
- **门源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:
- N-Channel:1.0V
- P-Channel:-1.2V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- N-Channel:
- @ VGS=2.5V:110mΩ
- @ VGS=4.5V:90mΩ
- P-Channel:
- @ VGS=2.5V:190mΩ
- @ VGS=4.5V:155mΩ
- **最大漏电流(ID)**:
- N-Channel:3.28A
- P-Channel:-2.8A
- **技术类型**:Trench
- **封装类型**:SC70-6
领域和模块应用:
3. 应用领域和模块:
**SI1563DH-T1-GE3-VB** 的双 N 通道和 P 通道配置、低导通电阻和小型封装使其非常适用于多种低功耗应用和高效能电源管理电路。以下是该 MOSFET 的几个典型应用领域:
# 1. **电池供电设备**:
由于其低功耗特性和高效开关性能,SI1563DH-T1-GE3-VB 适用于便携式电池供电设备,如智能手机、平板电脑、便携式医疗设备等。这些设备需要高效的电池管理电路,该 MOSFET 提供了良好的电池充放电控制,并降低功率损耗。
# 6. **嵌入式系统和传感器模块**:
该 MOSFET 在嵌入式系统中也有广泛的应用,尤其是在电池驱动的嵌入式传感器模块中。它提供的双通道开关特性可以有效地控制系统内的电流流动,降低能耗并延长电池使用寿命。
7. **智能家居与物联网(IoT)设备**:
在智能家居设备和物联网传感器中,SI1563DH-T1-GE3-VB 可用作低功耗的电源开关,帮助设备保持较长的待机时间和低功耗操作。它能够帮助实现更高效的电源转换和电池管理,满足 IoT 设备对能源效率和小型化的需求。
总结:
**SI1563DH-T1-GE3-VB** 是一款高效的双通道 MOSFET,采用 SC70-6 封装,适用于多种低电压、低功耗电源管理应用。其低导通电阻、高电流能力和小型封装使其成为便携式设备、电池供电系统、LED 驱动器以及电源管理电路等领域的理想选择。通过高效开关和低功耗操作,该 MOSFET 能够帮助优化各类电子产品的整体性能,并延长电池使用寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性