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SI1404DL-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

1. **产品简介:**

SI1404DL-T1-GE3 是一款单N型MOSFET,采用SC70-3封装,专为低电压和高效能应用设计。该型号具有最大漏源电压(VDS)为20V,适用于各种低电压电源管理和开关电路。其低导通电阻(RDS(ON))在不同栅源电压下表现出色:48mΩ(VGS=2.5V),40mΩ(VGS=4.5V)和36mΩ(VGS=10V)。此外,SI1404DL-T1-GE3的阈值电压(Vth)为0.5V至1.5V,能在较低的栅源电压下有效启动。最大漏电流(ID)为4A,适合用于多种低功率、高效能应用,尤其在电池供电的设备中,能够显著减少功耗并延长电池寿命。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A 48mΩ 36mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-3 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC70-3 Single-N
2. **详细参数说明:**

- **型号**:SI1404DL-T1-GE3
- **封装类型**:SC70-3
- **配置**:单N型MOSFET
- **漏源电压(VDS)**:20V
- **栅源电压(VGS)**:±12V
- **阈值电压(Vth)**:0.5V~1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 48mΩ @VGS=2.5V
- 40mΩ @VGS=4.5V
- 36mΩ @VGS=10V
- **最大漏电流(ID)**:4A
- **技术类型**:Trench技术
- **功率耗散能力**:具体值需根据实际工作条件和散热设计来确定,适用于低功率电路。

领域和模块应用:

3. **应用领域与模块举例:**

# 1. **便携设备与电池管理系统:**
SI1404DL-T1-GE3 在便携式设备中表现出色,尤其适用于智能手机、可穿戴设备(如智能手表、健身追踪器)等电池供电的电子产品。其低RDS(ON)和高效能特性,有助于延长设备电池寿命,在低电压下也能稳定工作。

# 6. **物联网与传感器应用:**
SI1404DL-T1-GE3 非常适用于物联网(IoT)设备中的电源管理,尤其是低功耗传感器和远程设备。它能够有效调节电流和电压,保持设备的长时间稳定工作,是物联网传感器网络中理想的开关元件。
# 7. **电池供电设备:**
由于其低导通电阻和高效能,SI1404DL-T1-GE3 在电池供电的设备中能够有效降低功耗,延长电池使用寿命。它可用于各种低功率电池驱动设备,如数码相机、便携式音响设备等。
总结:
SI1404DL-T1-GE3 是一款高效能、低功耗的N型MOSFET,采用SC70-3封装,适用于各种低电压和低功率的应用。其低导通电阻使其在电池管理、LED驱动、DC-DC转换、电源管理等领域表现卓越,尤其适合空间受限的应用,如便携设备、物联网设备和消费电子产品。它能够有效提升设备效率,减少功耗,从而延长设备的电池使用时间。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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