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Si1072X-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

产品简介 - Si1072X-T1-GE3-VB MOSFET

Si1072X-T1-GE3-VB是一款采用SC75-6封装的单N沟道MOSFET,专为低电压应用设计,适用于要求高效能和低功耗的电源管理和开关控制应用。该MOSFET的最大漏源电压(VDS)为30V,最大栅源电压(VGS)为±20V,门槛电压(Vth)为1.7V,具有低导通电阻特性。Si1072X-T1-GE3-VB的导通电阻(RDS(ON))分别为27mΩ(VGS=4.5V)和23mΩ(VGS=10V),确保在较低栅压时仍能保持高效的导电性能,适用于高效能开关应用,尤其在3A的电流负载下仍能够提供良好的性能。

该MOSFET采用Trench技术制造,使其在低功率应用中表现出色,广泛用于移动设备、电池供电系统、智能家居设备以及其他低功耗系统中。其小巧的封装和高效的开关特性,使其成为高密度电路设计的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC75-6 Single-N 30V 1.7V 3A 23mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC75-6 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC75-6 Single-N 30V 1.7V 3A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC75-6 Single-N 30V 1.7V 3A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC75-6 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**:SC75-6
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **门槛电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 27mΩ @ VGS = 4.5V
- 23mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**:3A
- **技术类型**:Trench技术

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

1. **电池供电设备**:
- Si1072X-T1-GE3-VB非常适合用于低功耗电池供电设备,如便携式电子设备、无线传感器等。由于其低导通电阻和高效率,它能有效减少功耗,延长电池的使用寿命。特别适用于对体积和电池寿命有严格要求的便携式产品。

2. **开关电源和电源管理**:
- 该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、降压或升压转换器等电源管理模块。它的低导通电阻使得在电源转换过程中具有较低的功耗,提供更高的转换效率。在低功耗电源设计中,Si1072X-T1-GE3-VB是一款理想的选择。

3. **负载开关应用**:
- Si1072X-T1-GE3-VB在负载开关应用中具有极高的性能,可以用作小型电机、LED驱动器或负载开关的开关元件。其高效的开关性能和低功率损耗使其成为各种消费电子和嵌入式系统中负载开关的理想选择。

4. **低功耗通信系统**:
- 该MOSFET在低功耗无线通信系统中表现出色,如蓝牙、Wi-Fi设备以及物联网(IoT)设备。Si1072X-T1-GE3-VB能够在需要快速切换和低功耗的通信模块中提供高效的开关控制,确保系统长期稳定运行。

5. **智能家居设备**:
- Si1072X-T1-GE3-VB非常适用于智能家居设备,如智能插座、传感器和开关等。它能够帮助这些设备实现高效的开关控制,并在节省能源的同时提高设备的响应速度和可靠性。

6. **便携式电源管理和低功率应用**:
- 该MOSFET也非常适用于低功率设备和系统中的电源管理模块。例如,它可用于电子标签、智能传感器和便携式医疗设备中,帮助降低能耗并提高设备的性能,特别是在功耗和体积受限的设计中。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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