Si1069X-T1-GE3-VB - VBsemi MOS管制造商

Si1069X-T1-GE3-VB 产品详细

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产品简介：

1. **产品简介：**

Si1069X-T1-GE3-VB 是一款单P型MOSFET，采用SC75-6封装，专为低电压、高效能应用设计。其最大漏源电压（VDS）为-30V，适用于各种低功率电源管理和控制系统。该MOSFET的阈值电压（Vth）为-1.7V，能够在较低电压下迅速启用，具有较高的驱动灵敏度。导通电阻（RDS(ON)）为32mΩ（VGS=10V）和42mΩ（VGS=4.5V），在低功耗运行下保持高效能，确保能量的最小损失。Si1069X-T1-GE3-VB 的最大漏电流（ID）为-2.4A，适合用于电池供电设备和其他低功率系统。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SC75-6	Single-P	-30V		-1.7V	-2.4A			32mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SC75-6	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SC75-6	Single-P	-30V		-1.7V	-2.4A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SC75-6	Single-P	-30V		-1.7V	-2.4A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SC75-6	Single-P

2. **详细参数说明：**

- **型号**：Si1069X-T1-GE3-VB
- **封装类型**：SC75-6
- **配置**：单P型MOSFET
- **漏源电压（VDS）**：-30V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：-1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 42mΩ @VGS=4.5V
- 32mΩ @VGS=10V
- **最大漏电流（ID）**：-2.4A
- **技术类型**：Trench技术
- **功率耗散能力**：具体值需根据实际工作条件和散热设计来确定。适用于低功率电路。

领域和模块应用：

3. **应用领域与模块举例：**

# 1. **低功耗电源管理：**
Si1069X-T1-GE3-VB 的低导通电阻和阈值电压使其成为低功耗电源管理系统中的理想选择。由于其低RDS(ON)，它在低电压下具有较低的功率损耗，适合用于各类低功率设备的电源开关和电压转换，广泛应用于电池驱动的便携式设备、智能传感器等场景。

# 6. **小型电机控制：**
在小型电机控制应用中，Si1069X-T1-GE3-VB 也能发挥作用。例如，作为小型电动工具或机器人系统中的开关组件，用于驱动和控制电机的工作状态。其低导通电阻和高效能使其成为低功率电机控制应用中的理想选择。

总结：
Si1069X-T1-GE3-VB 是一款单P型MOSFET，具有低导通电阻、较低的阈值电压和较高的漏电流容量，非常适合用于低功耗电源管理、便携设备、LED驱动、电池供电系统、无线通信设备等领域。其小型封装和高效电流控制性能使其成为物联网、智能家居及其他低电压高效能电子产品中的理想选择

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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