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Si1026X-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**Si1026X-T1-GE3-VB** 是一款双N沟道MOSFET,采用SC75-6封装,适用于低功率、高效能量转换的应用。该器件设计用于控制小电流(最大漏极电流为0.3A)并且具有低电阻导通特性,使其成为低电压电源开关、负载开关及低功率管理电路的理想选择。该MOSFET的最大漏源电压(VDS)为60V,最大门源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,能够在低门电压驱动下稳定工作。其RDS(ON)值分别为1500mΩ(VGS=4.5V)和1200mΩ(VGS=10V),显示了该MOSFET在低功率应用中的高效性。采用Trench技术,具备更低的导通损耗和较高的开关性能,适用于各种低电流的开关控制和功率管理模块。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC75-6 Dual-N+N 60V 1.7V 0.3A 1200mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC75-6 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC75-6 Dual-N+N 60V 1.7V 0.3A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC75-6 Dual-N+N 60V 1.7V 0.3A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC75-6 Dual-N+N
详细参数说明

- **型号**:Si1026X-T1-GE3-VB
- **封装类型**:SC75-6
- **配置**:双N沟道MOSFET(Dual-N+N-Channel)
- **最大漏源电压(VDS)**:60V
- **最大门源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- VGS = 4.5V:1500mΩ
- VGS = 10V:1200mΩ
- **最大漏极电流(ID)**:0.3A
- **技术**:Trench(沟槽型技术)

领域和模块应用:

应用领域与模块举例

1. **低功率电源开关**
**Si1026X-T1-GE3-VB** 是一个非常适合用于低功率电源开关的MOSFET。它可以用作电源管理电路中的开关元件,在高效能量传输的同时避免过多的功率损失。适用于便携设备中的小型电源模块,能够在相对较低的电流负载下提供稳定的功率输出。

2. **低电压负载开关**
在低电压负载开关应用中,该MOSFET能够高效地控制和切换低电流负载,尤其在便携设备、家电、低功耗传感器和LED驱动等应用中非常有用。由于其低RDS(ON)特性,它能够以较低的功耗驱动负载,延长设备的电池使用寿命。

3. **小型电池供电系统**
**Si1026X-T1-GE3-VB** 适用于小型电池供电系统,如智能手表、蓝牙耳机、无线传感器和其他低功率移动设备。这些应用中通常需要控制较小的电流,且MOSFET的导通电阻较低,有助于提升电池的运行效率,减少热量和功率损耗。

4. **智能传感器和模块**
在智能传感器和模块中,**Si1026X-T1-GE3-VB** 可用于切换传感器的供电通道。它适合用于温湿度传感器、气体传感器、运动传感器等低功耗应用。由于其小型封装和低RDS(ON),该MOSFET能够在提供足够电流的同时,减少电池消耗。

5. **无线通信模块**
在无线通信模块中,如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee等低功耗无线技术,**Si1026X-T1-GE3-VB** 可用作电源管理和信号开关控制。无线通信设备需要精确的电流控制,而该MOSFET的低导通电阻使其特别适合这类应用,确保设备在保持低功耗的同时提供稳定的无线连接。

6. **小型电动工具**
对于一些小型电动工具,**Si1026X-T1-GE3-VB** 可以作为开关元件,控制电动工具的电源供应。尽管其电流能力较低,但在轻负载工具和设备中,能够提供稳定的电流切换,确保工具的高效运转。

7. **低功率LED驱动电路**
在低功率LED驱动电路中,**Si1026X-T1-GE3-VB** 可以帮助管理LED的电源开关,确保稳定的亮度控制和低功耗操作。该MOSFET的低RDS(ON)使其特别适合低电压应用,减少了LED驱动过程中的能量浪费。

8. **汽车电子模块**
在汽车电子系统中,**Si1026X-T1-GE3-VB** 适用于小型电池管理和电源开关模块。它可以用于低功率传感器和控制系统的电源切换,帮助管理和控制车载电池的电力输出,尤其是在较低电流负载的场景下。

综上所述,**Si1026X-T1-GE3-VB** 双N沟道MOSFET的低RDS(ON)和较小的漏极电流适合应用于低功率电源管理、负载开关、无线通信模块、智能传感器和LED驱动等领域。这些应用中,对功率损耗和电池寿命的优化要求较高,该MOSFET能够提供理想的性能表现,确保系统高效运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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