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Si1016X2-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

1. 产品简介:

**Si1016X2-T1-GE3-VB** 是一款采用 SC75-6 封装的双 N-Channel MOSFET,具有低 RDS(ON) 特性,适用于低功率应用。它具有 20V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS),以及 0.6A 的最大漏电流 (ID),适合在较低电压和小功率模块中工作。该器件采用 Trench 技术,具有较低的开关损耗和较高的效能,适合用于快速切换的电源应用,特别是在需要较低导通电阻 (RDS(ON)) 的场合,能够提供更高的效率。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC75-6 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 0.6A 350mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC75-6 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC75-6 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 0.6A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC75-6 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 0.6A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC75-6 Dual-N+N
2. 详细参数说明:

- **封装**:SC75-6
- **配置**:双 N-Channel (Dual-N+N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**:20V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 350mΩ @ VGS=2.5V
- 300mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏电流 (ID)**:0.6A
- **技术**:Trench 技术
- **封装类型**:SC75-6(表面贴装)

领域和模块应用:

3. 应用领域及模块示例:

**1. 电源管理:**
Si1016X2-T1-GE3-VB MOSFET 由于其低导通电阻 (RDS(ON)) 和较小的阈值电压 (Vth),在低功率电源管理模块中非常适用。它常用于稳压器和低电压转换器(如DC-DC转换器),在这些应用中,MOSFET 的低导通损耗能够提升能效,降低热量产生。

**2. 开关电源:**
适用于开关电源的输出阶段,特别是在需要进行频繁切换的应用中。得益于其 Trench 技术,这款 MOSFET 在高频开关模式下表现优越,降低了开关损耗,使其能够在现代开关电源中实现更高的转换效率。

**3. 电池供电设备:**
在电池供电的设备中,Si1016X2-T1-GE3-VB 的低功耗特性使其特别适合用于电池保护电路、智能手机、电动工具等设备中,确保这些设备在高效能的同时最大程度地延长电池寿命。

**4. 负载开关:**
由于其小封装尺寸和低导通电阻,这款 MOSFET 还广泛应用于小型负载开关设计中,尤其是在需要频繁启停的负载中,如自动化设备和智能家居系统等。

通过在这些领域中的应用,Si1016X2-T1-GE3-VB 提供了高效、低功耗的解决方案,特别适合电源转换和开关控制模块等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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