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Si1013X-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

产品简介 - Si1013X-T1-GE3-VB MOSFET

Si1013X-T1-GE3-VB是一款采用SC75-3封装的单P沟道MOSFET,专为低电压、低功率的应用设计。其最大漏源电压(VDS)为-20V,最大栅源电压(VGS)为±12V,适用于对电源电压和开关速度有较高要求的场景。该MOSFET的门槛电压(Vth)为-0.6V,具有较低的导通电阻,N沟道的导通电阻为500mΩ(VGS=2.5V)和450mΩ(VGS=4.5V),使其适用于要求较小功率损耗的应用。Si1013X-T1-GE3-VB广泛应用于低功耗电源、逻辑电平转换器和开关电源等模块,能够提供高效的电流控制和开关能力。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC75-3 Single-P -20V -0.6V -0.55A 500mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC75-3 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC75-3 Single-P -20V -0.6V -0.55A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC75-3 Single-P -20V -0.6V -0.55A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC75-3 Single-P
详细参数说明

- **封装类型**:SC75-3
- **配置**:单P-Channel
- **漏源电压 (VDS)**:-20V
- **栅源电压 (VGS)**:±12V
- **门槛电压 (Vth)**:-0.6V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 500mΩ @ VGS = 2.5V
- 450mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏电流 (ID)**:-0.55A
- **技术类型**:Trench技术

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

1. **低功耗电源和电池管理**:
- Si1013X-T1-GE3-VB适用于低功耗电源和电池管理系统。由于其较低的导通电阻,能够在保持低功耗的同时提供较好的开关性能,因此特别适合在需要高效能、低功耗的电池供电设备中使用。它可以广泛应用于便携式设备、电池供电的传感器和其他低功耗电子系统中,以确保电池的高效能和长时间运行。

2. **逻辑电平转换器**:
- 在需要实现不同逻辑电平转换的应用中,Si1013X-T1-GE3-VB表现出色。它可用于微控制器、传感器或其他数字电路中的逻辑电平转换,特别适合在低电压系统和传统较高电压系统之间进行有效的信号传输。其较低的导通电阻和较小的门槛电压使其能够适应各种低电压数字电路中的应用。

3. **开关电源和电源管理模块**:
- 在开关电源(如DC-DC转换器、升降压转换器)和电源管理模块中,Si1013X-T1-GE3-VB能够作为开关元件实现高效的电流开关控制。其较低的导通电阻有助于减少功率损耗,提升电源转换效率,适用于对功率转换效率有高要求的应用,如消费电子产品、LED驱动器和低功耗电源系统。

4. **低电压负载开关**:
- Si1013X-T1-GE3-VB也适用于低电压负载开关应用。其较低的导通电阻和较小的漏电流使其非常适合于需要频繁开关的小功率负载,能够高效地控制电流流向负载。在许多低功耗设备中,能够在电源和负载之间提供可靠的开关控制,确保设备的可靠运行。

5. **智能传感器和家电产品**:
- 由于其低功耗特性,Si1013X-T1-GE3-VB适用于智能传感器、家电产品和其他自动化系统中的电源控制。它能够为这些设备提供可靠的电源开关控制,确保传感器的长时间运行,尤其是在需要长时间待机且不能消耗过多电能的场景下。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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