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SH8J66TB-VB 产品详细

产品简介:

1. **产品简介:**

SH8J66TB-VB是一款双极P+N型MOSFET,采用SOP8封装,适用于高效功率控制和负载切换应用。该器件具有-30V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS)限制,适用于低电压、高电流环境。SH8J66TB-VB的最大漏电流(ID)为-12A,且在VGS=4.5V时的导通电阻(RDS(ON))为13mΩ,在VGS=10V时则为11mΩ。其阈值电压(Vth)为-2.5V,确保其在较低的栅源电压下便能导通。这款MOSFET采用Trench技术,具有出色的开关特性和低功耗特点,使其在高效能应用中表现突出。SH8J66TB-VB特别适用于双向负载开关、电源管理、电池管理系统和电动工具等领域,能够在提供高效电流控制的同时减少系统功率损耗。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-P+P -30V -2.5V -12A 11mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-P+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-P+P -30V -2.5V -12A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-P+P -30V -2.5V -12A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-P+P
2. **详细参数说明:**

- **型号**:SH8J66TB-VB
- **封装类型**:SOP8
- **配置**:双极P+N型MOSFET
- **漏源电压(VDS)**:-30V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-2.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 13mΩ @VGS=4.5V
- 11mΩ @VGS=10V
- **最大漏电流(ID)**:-12A
- **技术类型**:Trench技术
- **功率耗散能力**:具体功率耗散能力根据工作环境和散热设计进一步分析。

领域和模块应用:

3. **应用领域与模块举例:**

# 1. **双向负载开关与电源管理:**
SH8J66TB-VB广泛应用于双向负载开关及电源管理电路中。其低导通电阻(RDS(ON))和双极配置(P+N型)使其在电源系统中提供非常高效的电流控制,特别适用于DC-DC转换器、充电电路、稳压电源以及电池管理系统(BMS)。它能够高效地切换电源输出、调节电压和电流,确保负载稳定运行,减少能量损耗。尤其适合在要求较高效率的电源设计中使用。

# 6. **负载保护与开关电路:**
由于其高效能和高电流承载能力,SH8J66TB-VB适合在负载保护和高电流开关电路中使用。在电流控制系统中,这款MOSFET能够确保电流在负载电路中的稳定流动,防止由于电流过载引起的系统故障。它特别适用于过载保护电路、逆变器以及大功率电源设备,提供高效的开关控制,避免过电流引起的设备损坏。

总结:
SH8J66TB-VB是一款双极P+N型MOSFET,适用于高效电流控制和低功率损耗的应用,广泛应用于电池管理、电源管理、负载开关、LED驱动、以及电动工具和电动交通工具等领域。它的低导通电阻、高电流承载能力以及高效率开关特性,使其在电源和负载切换系统中展现出极大的优势。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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