推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

SGSP317-VB 产品详细

产品简介:

1. **产品简介:**

SGSP317-VB是一款单极N型MOSFET,采用TO220封装,具有200V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS)限制。该器件的最大漏电流(ID)为10A,基于Trench技术,提供较低的导通电阻(RDS(ON))为310mΩ(在VGS=4.5V时)和270mΩ(在VGS=10V时)。它的阈值电压(Vth)为3V,意味着在较低的栅源电压下便能开始导通,适合于低电压驱动应用。SGSP317-VB的高电压能力和较低的导通电阻,使其在电源管理、电动机驱动和负载开关等领域中具有广泛的应用。该MOSFET特别适合在需要高电流承载能力和高耐压要求的应用中使用。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 10A 270mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 10A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 10A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
2. **详细参数说明:**

- **型号**:SGSP317-VB
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单极N型MOSFET
- **漏源电压(VDS)**:200V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 310mΩ @VGS=4.5V
- 270mΩ @VGS=10V
- **最大漏电流(ID)**:10A
- **技术类型**:Trench技术
- **功率耗散能力**:具体功率耗散能力需要根据工作环境和散热设计进一步分析。

领域和模块应用:

3. **应用领域与模块举例:**

# 1. **电源管理与DC-DC转换器:**
SGSP317-VB适用于高压电源管理和DC-DC转换器中的应用。其200V的漏源电压和低导通电阻使其能够有效控制电流和电压转换,在大功率电源系统中具有较低的能量损耗和较高的效率。此MOSFET特别适用于需要高电流支持的应用,如电源适配器、工业电源模块、以及太阳能逆变器等电源管理系统。

# 6. **LED驱动与照明控制:**
SGSP317-VB同样适用于LED驱动电路及智能照明系统中,特别是在高功率LED驱动中。其低导通电阻(RDS(ON))有助于降低系统中的功率损耗,使其在LED灯具控制、智能照明和信号处理电路中保持高效能。在这些应用中,SGSP317-VB能够提供稳定的电流,避免电流波动对LED的损害,延长其使用寿命。

总结:
SGSP317-VB凭借其200V的耐压能力、10A的高电流承载能力以及较低的导通电阻,广泛应用于电源管理、电动机驱动、负载开关、电池管理系统、EV充电系统以及LED驱动等领域。其高效、可靠的特性使其能够在高电流、大功率和高电压环境中提供优异的性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询