产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
120A |
|
|
3mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
120A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
120A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
|
|
|
|
|
|
|
RUH3051M-VB MOSFET - 详细参数说明
| 参数 | 说明 |
|--------------------------|----------------------------------------------------|
| **封装** | DFN8 (5x6) 封装 |
| **配置** | 单极 N-沟道 (Single-N-Channel) |
| **最大漏源电压 (V_DS)** | 30V |
| **最大栅源电压 (V_GS)** | ±20V |
| **阈值电压 (V_th)** | 1.7V |
| **导通电阻 (R_DS(ON))** | 5mΩ(在 V_GS = 4.5V 时),3mΩ(在 V_GS = 10V 时) |
| **最大漏极电流 (I_D)** | 120A |
| **技术** | Trench 技术 |
领域和模块应用:
RUH3051M-VB MOSFET - 应用领域和模块举例
RUH3051M-VB 的低导通电阻、高电流承载能力和紧凑的封装设计,使其在多个高性能、高功率密度的应用领域中具有广泛的适用性。以下是一些典型的应用举例:
1. **电源管理系统**
RUH3051M-VB 非常适用于高效电源管理系统中,尤其是在便携式设备和小型电子产品的电池管理系统中。低导通电阻能够有效减少功率损耗,延长电池寿命,提高整体能效,适用于智能手机、笔记本电脑、平板电脑等设备的电源转换模块。
2. **电动工具与电动驱动系统**
在电动工具、无人机、电动自行车等电动驱动系统中,RUH3051M-VB 可以提供高效的电流控制,帮助优化电动机驱动系统的效率,减少热损耗,增强设备的稳定性和续航能力。
3. **汽车电子与电池管理系统(BMS)**
该 MOSFET 可用于电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)的电池管理系统(BMS)中,处理电池充放电过程中的大电流。RUH3051M-VB 可在小型化的设计要求下提供高效的电流控制,保障电池系统的稳定和安全运行。
4. **DC-DC 转换器与功率调节系统**
在各种电源系统中,尤其是 DC-DC 转换器、降压或升压电路中,RUH3051M-VB 能够为负载提供稳定且高效的电力供应。由于其低 R_DS(ON) 和高电流处理能力,它非常适合高效能电力转换应用,如服务器电源、工业电源等。
5. **无线充电与高频电力传输**
在无线充电技术或高频电力传输系统中,RUH3051M-VB 能够提供低导通损耗、高效的开关特性,支持快速充电过程,适用于智能手机、电子设备以及其他无线充电解决方案。
6. **汽车逆变器与功率放大器**
在逆变器和功率放大器应用中,RUH3051M-VB 也可作为高效开关元件。其快速响应特性和低导通电阻有助于减少功率损失,提高整体效率,广泛应用于汽车电源逆变器和其他高功率应用场景中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性