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RU70E4H-VB 产品详细

产品简介:

RU70E4H-VB 产品简介

RU70E4H-VB是一款高性能N沟道MOSFET,采用SOP8封装,专为中等电压和中等功率应用设计。其最大漏极源极电压(VDS)为100V,支持高达4.2A的漏电流(ID)。在VGS为10V时,RU70E4H-VB的导通电阻(RDS(ON))为124mΩ,确保了优异的电流传输效率,适合用于多种电子电路和设备。采用Trench技术,使其在功率和热管理方面具有出色的性能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 100V 1.8V 4.2A 124mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 100V 1.8V 4.2A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 100V 1.8V 4.2A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
详细参数说明

- **型号**: RU70E4H-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单个N沟道
- **最大漏极源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅极源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 128mΩ @ VGS = 4.5V
- 124mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 4.2A
- **技术**: Trench技术

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

RU70E4H-VB广泛应用于多个领域和模块,包括:

1. **电源管理**:
- 在DC-DC转换器和电源适配器中,该MOSFET可作为开关元件,优化电源转换效率,适用于各类便携式设备和消费电子产品。

2. **LED驱动电路**:
- RU70E4H-VB可用于LED照明驱动,确保LED模块的高效控制,提高亮度和能效,广泛应用于商业和家庭照明。

3. **电动工具**:
- 在电动工具和设备中,该MOSFET可实现高效的电源开关,确保设备在高负载下的稳定运行。

4. **工业控制系统**:
- 在工业自动化应用中,RU70E4H-VB能够有效控制电机和其他负载,支持高效的功率管理和控制。

5. **消费电子产品**:
- 用于各种消费电子产品中的电源管理,如智能手机、平板电脑等,以提高设备的能效和续航能力。

RU70E4H-VB凭借其出色的电气性能和广泛的应用范围,成为现代电子设计中重要的组成部分,适应多种电源管理和控制需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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