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RU70190R-VB 产品详细

产品简介:

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RU70190R-VB是一款高性能单极N通道MOSFET,采用TO220封装,设计用于60V的高电压应用。其优异的导通电阻(低至3mΩ)和高达210A的漏极电流能力,使其在高效能开关电源、电动机驱动和电力管理应用中表现出色。RU70190R-VB采用Trench技术,提供高效能和良好的热管理,是现代电力电子解决方案的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 210A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 210A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 210A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**: RU70190R-VB
- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单极N通道
- **漏极到源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅极到源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 210A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

RU70190R-VB MOSFET广泛应用于多个领域和模块,包括:

1. **开关电源**: 由于其低导通电阻和高电流能力,该MOSFET非常适合用于开关电源的主开关元件,能够有效提升电源的效率,减少能量损耗,广泛应用于计算机电源、LED驱动电源等。

2. **电机控制**: 在电动机驱动应用中,RU70190R-VB可以作为高电流开关,适用于各类电动机控制器,确保电动机的平稳运行,常见于工业自动化、家用电器及电动工具等领域。

3. **电力转换和管理**: 在DC-DC转换器和电力管理模块中,该MOSFET可用于高效的电能转换和分配,提高系统的整体性能和可靠性,适用于电力转换设备和电池管理系统。

4. **消费电子**: RU70190R-VB在高性能消费电子产品中也得到应用,能够有效管理电源,提升产品的续航能力和性能,适合用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备。

通过这些应用示例,RU70190R-VB MOSFET展示了其在现代电力电子设备中的重要性,为设计工程师提供了高效、可靠的解决方案,满足多种高性能应用的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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