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RU6H2R-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
RU6H2R-VB是一款高电压单N型MOSFET,采用TO220封装,设计用于要求较高的电压和相对较低的电流应用。该MOSFET具有650V的最大漏源电压(VDS),在高电压场合下依然能够保持良好的性能。其导通电阻(RDS(ON))在VGS为10V时为3120mΩ,确保在开关状态下有良好的效率。RU6H2R-VB特别适合于高压电源管理和电力转换领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A 3120mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明
- **型号**:RU6H2R-VB
- **封装**:TO220
- **配置**:单N型
- **最大漏源电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 3900mΩ @ VGS = 4.5V
- 3120mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流(ID)**:2A
- **技术**:平面技术(Plannar)

领域和模块应用:

应用领域和模块示例
RU6H2R-VB MOSFET在多种高电压应用中表现出色,以下是一些具体应用示例:

1. **高压电源**:由于其650V的额定电压,RU6H2R-VB适合用于高压电源的开关控制,能够有效处理电力转换过程中的高电压情况。

2. **电力电子转换器**:在DC-DC转换器和AC-DC整流器中,该MOSFET可以用于高电压侧的开关元件,提高能效并降低功耗。

3. **照明驱动电路**:该器件在LED驱动电路中也可以应用,能够承受高电压并在不损坏的情况下有效控制LED灯的开关。

4. **家用电器**:RU6H2R-VB可以应用于各种家用电器的电源模块,特别是需要高电压的设备,如空调和电热水器。

5. **工业设备**:在需要高电压控制的工业设备中,如电动机驱动和变频器,RU6H2R-VB提供了可靠的开关控制,保证系统稳定性。

通过这些应用,RU6H2R-VB MOSFET在现代电力电子领域中提供了优越的性能和可靠性,适用于各种高压需求的场合。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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