RU40P75R-VB - VBsemi MOS管制造商

RU40P75R-VB 产品详细

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RU40P75R-VB 产品简介

RU40P75R-VB是一款高性能单P沟道MOSFET，采用TO220封装，专为高电压和大电流应用设计。其漏源极电压（VDS）为-40V，能够承载高达-110A的连续电流。RU40P75R-VB采用先进的Trench技术，具有极低的导通电阻（RDS(ON)），有效降低功耗和发热。它在多个高效电源和负载驱动应用中表现出色，适合需要高效率和高可靠性的电子设计。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-P	-40V		-3V	-110A			4mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-P	-40V		-3V	-110A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-P	-40V		-3V	-110A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-P

详细参数说明

- **型号**: RU40P75R-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单P沟道
- **VDS**: -40V
- **VGS**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -3V
- **RDS(ON)**:
- 4.8mΩ @ VGS=4.5V
- 4mΩ @ VGS=10V
- **ID**: -110A
- **技术**: Trench

领域和模块应用：

应用领域与模块示例

1. **电源管理系统**: RU40P75R-VB在高效电源转换器和DC-DC变换器中得到广泛应用，其高电流承载能力和低导通电阻确保了系统的高效率，适用于电源模块和智能电源管理解决方案。

2. **电动机控制**: 该MOSFET非常适合用于电动机驱动应用，例如直流电动机和步进电动机的控制。其快速开关能力和高负载承载能力，使其在工业自动化和电动汽车等领域中表现优异。

3. **高功率LED驱动**: RU40P75R-VB可作为高功率LED驱动电路中的开关元件，适用于商业和工业照明，提供稳定的电流输出，提高光效并降低能耗。

4. **逆变器应用**: 在太阳能和风能逆变器中，RU40P75R-VB能够在高负载条件下高效转换电能，支持可再生能源系统的高效运行，推动绿色技术的发展。

RU40P75R-VB凭借其卓越的电气性能和广泛的应用范围，成为现代高功率电子设计中的重要组成部分。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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