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RU30S4H-VB 产品详细

产品简介:

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RU30S4H-VB是一款高性能的SOP8封装单管P型MOSFET,专为低电压和中等电流应用设计。其VDS耐受能力为-30V,能够处理高达-5.8A的电流,适合各种电源管理和开关控制应用。RU30S4H-VB的导通电阻相对较低(56mΩ@VGS=4.5V和33mΩ@VGS=10V),显著提高了能效,减少了热损耗,是现代电子设备中的重要组成部分。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -5.8A 33mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -5.8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -5.8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-P
参数说明
- **封装**:SOP8
- **配置**:单P型通道
- **VDS**:-30V
- **VGS**:±20V
- **Vth**:-1.7V
- **RDS(ON)**:
- 56mΩ(VGS=4.5V)
- 33mΩ(VGS=10V)
- **ID**:-5.8A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域
RU30S4H-VB广泛应用于电源管理系统,如DC-DC转换器、开关电源和负载开关,尤其适合需要高效能和低热量的应用。由于其较低的导通电阻,这款MOSFET在消费电子产品中表现优异,能够有效降低功耗,延长电池寿命。例如,在智能手机和便携式设备中,RU30S4H-VB能够提供稳定的电源输出,满足设备在不同负载条件下的需求。

此外,该MOSFET也适用于工业设备、电动工具和汽车电子系统,确保可靠的电源管理和负载控制。RU30S4H-VB的高效能特性使其在LED驱动电路和高效电源模块中成为理想选择,帮助实现更高的能效和更小的热输出,从而提升整体系统性能和可靠性。其小巧的SOP8封装设计使其在空间受限的应用中也具备良好的适用性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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