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RU30D8HCGTR-VB 产品详细

产品简介:

RU30D8HCGTR-VB 产品简介

RU30D8HCGTR-VB是一款高效的双N沟道MOSFET,采用SOP8封装,设计用于高电压和中等电流应用。该器件具有30V的漏极到源极电压(VDS),能够支持高达8.5A的连续电流,适合于需要高效能和高可靠性的电路。凭借其先进的Trench技术,RU30D8HCGTR-VB在不同栅极驱动电压下展现出较低的导通电阻(RDS(ON)),显著降低能量损耗,提升整体系统的能效。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 8.5A 16mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 8.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 8.5A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+N
详细参数说明

- **型号**: RU30D8HCGTR-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 双N沟道
- **VDS**: 30V
- **VGS**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**:
- 20mΩ @ VGS=4.5V
- 16mΩ @ VGS=10V
- **ID**: 8.5A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

1. **电源管理**: RU30D8HCGTR-VB广泛应用于DC-DC转换器和开关电源中,能够在30V和8.5A的条件下提供高效的电力转换,适用于消费电子产品和工业设备,提升系统的能效和可靠性。

2. **电机驱动**: 在电机控制系统中,该MOSFET可用于驱动小型直流电机,适合于电动工具、电动车辆及家用电器,确保电机快速启停和精确控制,提升系统的响应速度。

3. **LED驱动**: RU30D8HCGTR-VB适用于LED照明系统,作为开关元件提供稳定的电流,确保LED的高效运行,广泛应用于家庭和商业照明,提升能效和光输出质量。

4. **通信设备**: 在通信设备中,该MOSFET可用于信号放大和开关,确保在高频率条件下稳定工作,适合于无线基站和网络设备,保障信号的高质量传输。

通过这些应用示例,RU30D8HCGTR-VB展示了其在多个领域的广泛适用性和卓越性能,成为现代高效电路设计的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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