RU190N08R-VB - VBsemi MOS管制造商

RU190N08R-VB 产品详细

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RU190N08R-VB是一款高效能的单N沟道MOSFET，采用TO220封装，专为高电流和高电压应用而设计。该器件可承受高达80V的漏极-源极电压，且具有极低的导通电阻，使其在大功率应用中表现出色。RU190N08R-VB使用Trench技术，确保了高效的开关性能和低能耗，适合多种工业和消费电子应用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	80V		3V	195A			3mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	80V		3V	195A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	80V		3V	195A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

详细参数说明
- **型号**: RU190N08R-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 80V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3.6mΩ @ VGS=4.5V
- 3mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 195A
- **技术**: Trench技术

领域和模块应用：

应用领域和模块示例
1. **电源管理**: RU190N08R-VB广泛应用于开关电源和DC-DC转换器中，能够在高电流和高电压条件下实现高效能的电流控制，提高整个电源系统的效率。

2. **电机驱动**: 该MOSFET非常适合于电机控制系统，特别是在工业电机和电动车辆中，能够提供强大的电流管理能力，确保电机的稳定和高效运行。

3. **电池管理系统**: RU190N08R-VB可用于电池充电和放电控制电路，尤其在高功率电池组中，可以安全有效地管理电能的流动。

4. **LED驱动**: 在LED照明应用中，该MOSFET可以作为驱动器，具备低导通电阻和高效率，能够在大功率LED应用中提供可靠的电流控制，延长LED的使用寿命。

通过这些应用示例，RU190N08R-VB展示了其在现代电子设计中的广泛适用性和出色性能，成为多种领域中的理想选择。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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