RU140N10R-VB - VBsemi MOS管制造商

RU140N10R-VB 产品详细

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产品简介：

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RU140N10R-VB是一款高性能的TO220封装单管N型MOSFET，专为高电压和大电流应用设计。其VDS耐受能力高达100V，能够在严苛的工作条件下提供卓越的性能。凭借其超低的导通电阻（5mΩ@VGS=10V），RU140N10R-VB特别适合于高效能电源管理系统，能有效降低功耗并提升系统的整体效率。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	100V		3V	120A			5mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	100V		3V	120A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	100V		3V	120A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

参数说明
- **封装**：TO220
- **配置**：单N型通道
- **VDS**：100V
- **VGS**：±20V
- **Vth**：3V
- **RDS(ON)**：5mΩ（VGS=10V）
- **ID**：120A
- **技术**：Trench

领域和模块应用：

应用领域
RU140N10R-VB广泛应用于电源管理和驱动模块，例如DC-DC转换器和开关电源，其高电流承载能力和低导通电阻使其在节能和热管理方面表现优异。在汽车电子领域，该MOSFET适用于电机驱动和电源控制等关键应用，确保在高负载情况下的稳定运行。此外，它也适合用于工业设备和家用电器的电源开关控制，能够有效满足各种电力要求。由于其高效率和可靠性，RU140N10R-VB成为现代电源设计中不可或缺的组件。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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