RSU002N06T106-VB - VBsemi MOS管制造商

RSU002N06T106-VB 产品详细

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产品简介：

产品简介
RSU002N06T106-VB是一款高效能的单N沟道MOSFET，采用小巧的SC70-3封装，特别适合空间受限的电子应用。该器件支持最高60V的漏极-源极电压，并具有较低的导通电阻，能够在较小的尺寸下提供良好的开关性能。它使用Trench技术，确保了高效能和低功耗，适合各种低功率应用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SC70-3	Single-N	60V		1.7V	0.3A			2000mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SC70-3	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SC70-3	Single-N	60V		1.7V	0.3A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SC70-3	Single-N	60V		1.7V	0.3A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SC70-3	Single-N

详细参数说明
- **型号**: RSU002N06T106-VB
- **封装**: SC70-3
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4000mΩ @ VGS=4.5V
- 2000mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench技术

领域和模块应用：

应用领域和模块示例
1. **便携式电子设备**: RSU002N06T106-VB特别适用于手机、平板电脑等便携式设备中的电源管理电路，能够在小尺寸中提供高效能和稳定性。

2. **LED驱动**: 该MOSFET可以用于LED驱动电路，特别是在小型灯具和指示灯中，因其低功耗特性而能够延长LED的使用寿命。

3. **电池管理系统**: 在电池充电和放电控制电路中，RSU002N06T106-VB能够实现有效的电流控制，确保电池的安全性和高效性，适合于小型电池组。

4. **信号开关**: 由于其小巧的封装和良好的开关特性，该MOSFET也适用于信号切换应用，可以在多个电路中灵活应用，如音频设备和数据通信模块。

通过这些应用实例，RSU002N06T106-VB展示了其在现代电子设计中的广泛适用性，尤其是在对尺寸和能效有严格要求的领域。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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