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RSS075P03-TB-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
RSS075P03-TB-VB是一款高性能的单极P沟道MOSFET,采用SOP8封装,专为低电压和高电流应用设计。其最大漏源电压(VDS)为-30V,适合在各种电源管理和负载开关应用中使用。该MOSFET具有优良的导通电阻和快速开关特性,能够在较低的栅极电压下(VGS)提供高效的电流传输。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -9A 18mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -9A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -9A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-P
详细参数说明
- **型号**: RSS075P03-TB-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单极P沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 24mΩ @ VGS=4.5V
- 18mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: -9A
- **技术**: Trench技术

领域和模块应用:

应用领域与模块示例
RSS075P03-TB-VB广泛应用于多个领域,包括但不限于:

1. **电源管理**: 在电源转换器和稳压器中,该MOSFET可用于高效的开关和控制,提升整体能效。

2. **负载开关**: 在消费电子产品和家电中,作为负载开关实现快速开关,降低待机功耗。

3. **电动汽车**: 在电动汽车的电池管理系统中,RSS075P03-TB-VB可用于控制充放电过程,确保电池的安全和高效使用。

4. **LED驱动**: 在LED照明应用中,该MOSFET可用于驱动高功率LED,以实现亮度调节和开关控制。

5. **音频放大器**: 在高保真音频放大器中,利用其低导通电阻提高音质和降低功耗。

通过在这些领域的应用,RSS075P03-TB-VB能够帮助设计师实现高性能、低功耗的电路解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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