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RSH140N03TB-VB 产品详细

产品简介:

RSH140N03TB-VB 产品简介

RSH140N03TB-VB 是一款高效的 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封装,专为低电压和高电流应用设计。该 MOSFET 的漏极源电压(VDS)最大可达 30V,支持 ±20V 的栅极源电压(VGS)。其栅阈值电压(Vth)为 1.7V,能够在较低的栅电压下实现快速开关。导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 11mΩ,VGS=10V 时降至 8mΩ,最大漏极电流(ID)为 13A。RSH140N03TB-VB 采用先进的 Trench 技术,确保在各种应用场景中具备优异的热性能和功率效率。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
详细参数说明

- **型号**: RSH140N03TB-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单 N 通道
- **漏极源电压 (VDS)**: 30V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 13A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

RSH140N03TB-VB MOSFET 在多个领域和模块中的应用包括:

1. **电源管理**: 在 DC-DC 转换器和开关电源中,RSH140N03TB-VB 可以实现高效的电能转换,适用于各种消费电子设备,如手机充电器和笔记本电脑电源。

2. **LED 驱动**: 该 MOSFET 适合用于 LED 照明应用,提供稳定的驱动电流,确保 LED 的亮度和使用寿命,广泛应用于家居照明和商业照明系统。

3. **电机控制**: RSH140N03TB-VB 可用于电机驱动电路中,提供高效的开关控制,适用于电动工具、家电和自动化设备的电机控制。

4. **信号开关**: 作为一种高效的信号开关元件,该 MOSFET 可以用于音频和视频设备中,确保信号传输的质量和完整性。

5. **便携设备**: 在电池供电的电子产品中,RSH140N03TB-VB 可作为负载开关,有助于提升整体能效和电源管理。

通过其优异的性能和灵活的应用场景,RSH140N03TB-VB 是现代高效电子设备设计中不可或缺的元件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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