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RSF014N03TL-VB 产品详细

产品简介:

RSF014N03TL-VB 产品简介

RSF014N03TL-VB 是一款高效能的 N 通道 MOSFET,采用 SC70-3 封装,专为空间受限的应用设计。该 MOSFET 的漏极源电压(VDS)可达 20V,支持 ±12V 的栅极源电压(VGS)。其栅阈值电压(Vth)范围为 0.5V 到 1.5V,确保在较低的栅电压下也能可靠开启。导通电阻(RDS(ON))在不同栅电压下表现优异:在 VGS=2.5V 时为 48mΩ,在 VGS=4.5V 时为 40mΩ,而在 VGS=10V 时则为 36mΩ,最大漏极电流(ID)为 4A。RSF014N03TL-VB 采用 Trench 技术,提供卓越的性能和高效率,非常适合现代电子设备的需求。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A 48mΩ 36mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-3 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC70-3 Single-N
详细参数说明

- **型号**: RSF014N03TL-VB
- **封装**: SC70-3
- **配置**: 单 N 通道
- **漏极源电压 (VDS)**: 20V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±12V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 48mΩ @ VGS=2.5V
- 40mΩ @ VGS=4.5V
- 36mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 4A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

RSF014N03TL-VB MOSFET 在多个领域和模块中的应用包括:

1. **便携式电子设备**: 由于其紧凑的 SC70-3 封装和高效能,RSF014N03TL-VB 非常适合用于手机、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理和开关控制。
2. **LED 驱动**: 该 MOSFET 可用于 LED 照明应用中,提供高效的驱动电流,确保 LED 的亮度和一致性,适合商业和家庭照明解决方案。
3. **电机控制**: 在小型电机控制电路中,RSF014N03TL-VB 可以作为开关器件,支持高效的电机启停控制,适用于家电和机器人技术。
4. **信号开关**: 作为一种高效的信号切换元件,该 MOSFET 可用于音频和视频设备中,确保信号的完整性和低延迟。
5. **电源管理**: 在 DC-DC 转换器和其他电源管理应用中,RSF014N03TL-VB 可以帮助提高能效和降低功耗,满足现代电子设备的高性能需求。

凭借其出色的电气性能和小巧设计,RSF014N03TL-VB 是现代高效电子设备的理想选择,能够满足多种应用需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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