RRS100P03-TB-VB - VBsemi MOS管制造商

RRS100P03-TB-VB 产品详细

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产品简介：

RRS100P03-TB-VB 产品简介

RRS100P03-TB-VB 是一款高效能单 P 通道 MOSFET，采用 SOP8 封装，专为低电压和高电流应用设计。该器件具有 -30V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS) 耐压，适合多种电源管理和开关控制电路。其阈值电压 (Vth) 为 -1.7V，导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 时为 24mΩ，而在 VGS=10V 时为 18mΩ，确保在高效能的功率转换中表现优异。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-1.7V	-9A			18mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-1.7V	-9A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-1.7V	-9A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOP8	Single-P

详细参数说明

- **型号**: RRS100P03-TB-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单 P 通道
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 24mΩ @ VGS=4.5V
- 18mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: -9A
- **技术**: 沟槽技术 (Trench)

领域和模块应用：

应用领域与模块

RRS100P03-TB-VB 的高效能和适中的电流能力使其适合于多个应用领域，包括：

1. **电源管理系统**: 作为开关元件，该 MOSFET 可以在电源管理电路中实现高效的开关操作，适用于便携式设备和移动电源的电源解决方案。

2. **LED 驱动**: 在 LED 照明应用中，该器件能够有效驱动 LED，提供稳定的电流输出，从而提升照明效果并提高系统的整体效率。

3. **电动机控制**: RRS100P03-TB-VB 可广泛应用于直流电动机控制，适用于电动工具、电动车辆和其他需要高效能驱动的设备。

4. **负载开关**: 该 MOSFET 适用于各种负载开关应用，提供可靠的电源管理，支持家用和工业设备的正常运行。

通过这些应用，RRS100P03-TB-VB 能够支持高效能和高可靠性的电力电子解决方案，满足市场对小型、高效 P 通道 MOSFET 的需求。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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