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RQ1C075UN-VB 产品详细

产品简介:

RQ1C075UN-VB 产品简介

RQ1C075UN-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用紧凑的 DFN8(3x3) 封装,专为低电压和高效能应用设计。该 MOSFET 的漏极源电压(VDS)最高可达 30V,支持 ±20V 的栅极源电压(VGS)。其栅阈值电压(Vth)为 1.7V,确保在低电压下有效开关。导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 11mΩ,而在 VGS=10V 时为 8mΩ,漏极电流(ID)最大可达到 13A。RQ1C075UN-VB 采用 Trench 技术,具有优越的热管理和电气性能,非常适合现代电子设备的需求。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3) Single-N
详细参数说明

- **型号**: RQ1C075UN-VB
- **封装**: DFN8(3x3)
- **配置**: 单 N 通道
- **漏极源电压 (VDS)**: 30V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 13A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

RQ1C075UN-VB MOSFET 适用于多个领域和模块,包括:

1. **电源管理**: 在高效能开关电源中,RQ1C075UN-VB 可以实现快速开关,确保高效能和低能耗,广泛应用于消费电子和工业设备。
2. **电池供电设备**: 在电池管理系统中,该 MOSFET 用于电池充放电的控制,提升整体能效并延长电池寿命。
3. **LED驱动**: 在 LED 照明和驱动电路中,该 MOSFET 能够提供高效的开关控制,确保照明的亮度和稳定性。
4. **电机控制**: 适用于小型电机驱动系统,有效控制电机的启动和运行,广泛应用于家用电器和机器人。
5. **信号开关**: 在音频和数据传输中,RQ1C075UN-VB 可以作为信号开关,确保信号的高质量传输。

凭借其紧凑的设计和出色的电气性能,RQ1C075UN-VB 是现代高效电子设备中的理想选择,能够满足多种应用需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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