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RJK03B7DPA-VB 产品详细

产品简介:

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RJK03B7DPA-VB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,封装采用 DFN8 (5x6) 形式,专为高效电源管理和开关应用设计。该器件的最大漏极源极电压(VDS)为 30V,能够处理高达 80A 的漏极电流(ID),使其在需要高电流和低导通电阻的应用中表现出色。其超低的导通电阻(RDS(ON))为 7mΩ(在 VGS = 10V 时),确保了在开关过程中的低能量损失和高效能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
详细参数说明

- **型号**: RJK03B7DPA-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单 N 通道
- **最大漏极源极电压 (VDS)**: 30V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ (在 VGS = 4.5V 时)
- 7mΩ (在 VGS = 10V 时)
- **最大漏极电流 (ID)**: 80A
- **技术**: Trench 技术

领域和模块应用:

适用领域与模块

RJK03B7DPA-VB 可广泛应用于多个领域和模块,具体包括:

1. **开关电源**: 该 MOSFET 由于其低导通电阻和高漏极电流承载能力,非常适合用于 DC-DC 转换器、隔离式和非隔离式开关电源中,能够有效提升转换效率,降低热损失。

2. **电机驱动**: 在电机控制应用中,RJK03B7DPA-VB 的高电流能力使其成为电机驱动器的理想选择,能够支持高功率电机的启动和运行。

3. **LED 驱动**: 由于其优异的开关特性,该 MOSFET 可用于 LED 照明系统中的驱动电路,确保快速开关和高效能。

4. **电池管理系统**: 在电池管理和充电系统中,RJK03B7DPA-VB 能够有效管理充电和放电过程,确保系统的安全与可靠性。

5. **消费电子**: 该 MOSFET 也适用于智能手机、平板电脑等消费电子产品的电源管理模块,帮助延长电池寿命和提高设备性能。

通过其高效能和多功能性,RJK03B7DPA-VB 可以满足现代电子设备对功率密度和能效的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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