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RJK0384DPA-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:RJK0384DPA-VB

RJK0384DPA-VB是一款高性能的半桥配置N沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)-C封装,专为高效能开关应用而设计。其最大漏源电压(VDS)为30V,能够在高频和高效能条件下运行。该MOSFET的阈值电压(Vth)为1.7V,使其能够在较低栅源电压下迅速开启。其导通电阻(RDS(ON))在VGS为4.5V时为4mΩ,在VGS为10V时为3.4mΩ,极低的导通电阻确保出色的电流导通能力,最大漏电流(ID)可达60A,适合多种高功率应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6)-C Half-Bridge-N+N 30V 1.7V 60A 3.4mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6)-C Half-Bridge-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6)-C Half-Bridge-N+N 30V 1.7V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6)-C Half-Bridge-N+N 30V 1.7V 60A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6)-C Half-Bridge-N+N
详细参数说明

- **型号**: RJK0384DPA-VB
- **封装**: DFN8(5X6)-C
- **配置**: 半桥-N+N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4mΩ(在VGS=4.5V时)
- 3.4mΩ(在VGS=10V时)
- **最大漏电流 (ID)**: 60A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

RJK0384DPA-VB在多个高性能领域中得到了广泛应用,以下是一些具体示例:

1. **电源转换器**: 由于其低导通电阻和高电流处理能力,该MOSFET适用于高效开关电源(SMPS)和DC-DC转换器,能够有效提高电源的转换效率。

2. **电动汽车驱动系统**: 在电动汽车中,RJK0384DPA-VB可用作电机驱动的开关元件,提供可靠的高频开关性能,确保电动机的高效能和响应速度。

3. **逆变器**: 该MOSFET适合用于太阳能逆变器中,能够有效转换直流电源为交流电源,支持太阳能发电系统的高效运行。

4. **电机控制**: RJK0384DPA-VB在电机控制系统中作为半桥配置的驱动器件,能够实现精确控制,满足高负载下的稳定性需求。

5. **消费电子**: 在消费电子产品如笔记本电脑和智能手机中,RJK0384DPA-VB可作为功率开关,提供高效的电源管理和热管理,提升产品性能。

通过这些应用,RJK0384DPA-VB为各类电子设备提供了高效、可靠的解决方案,满足市场对高性能和低功耗的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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