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QS8K2-VB 产品详细

产品简介:

QS8K13-VB 产品简介

QS8K13-VB 是一款高性能双 N 沟道 MOSFET,采用 DFN8(3X3)-B 封装,专为需要低导通电阻和高效率的应用设计。其最大漏源电压为 20V,能够承受 ±20V 的栅源电压,适合多种电子设备。凭借 0.8V 的阈值电压和 17mΩ 的导通电阻,该器件在开关应用中展现出极佳的性能,特别是在电流较大的情况下,确保了高效的能量传输。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3)-B Dual-N 20V 0.8V 20A 17mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3)-B Dual-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3)-B Dual-N 20V 0.8V 20A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3)-B Dual-N 20V 0.8V 20A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3)-B Dual-N
详细参数说明

- **型号**: QS8K13-VB
- **封装**: DFN8(3X3)-B
- **配置**: 双 N 沟道
- **VDS (漏源电压)**: 20V
- **VGS (栅源电压)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 17mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 20A
- **技术**: Trench 技术

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **DC-DC 转换器**: QS8K13-VB 适用于 DC-DC 转换器电路,因其低导通电阻和高效率,能够有效降低功耗,提高系统的整体性能。

2. **电源管理**: 在电源管理应用中,该 MOSFET 的双通道设计使其能够处理复杂的电源分配和控制任务,非常适合用于高密度的电源模块。

3. **电动工具**: 在电动工具中,QS8K13-VB 可用作开关元件,能够在较高负载下工作而不会过热,确保工具的高效和可靠运行。

4. **LED 驱动**: 在 LED 照明应用中,该 MOSFET 能够提供稳定的驱动电流,适合用于高效的 LED 驱动电路,提升照明效果并延长使用寿命。

5. **便携式设备**: 在便携式电子设备中,由于其小巧的封装和高性能,QS8K13-VB 是理想的选择,能够在有限空间内提供强大的开关功能。

通过这些应用领域的例子,可以看出 QS8K13-VB 是一款多功能的 MOSFET,广泛适用于各类电子产品和模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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