QM3110M6-VB - VBsemi MOS管制造商

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QM3110M6-VB 产品简介

QM3110M6-VB 是一款高效能的单N沟道MOSFET，采用DFN8（5x6）封装，专为需要高电流和低导通电阻的应用而设计。该器件具有出色的电流承载能力和热性能，非常适合电源管理、功率转换和电动机驱动等领域。其低导通电阻使其在高频和高效能的电子设备中表现卓越，能够满足现代电源设计的需求。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	120A			3mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	120A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	120A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(5X6)	Single-N

详细参数说明

- **型号**: QM3110M6-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 3mΩ @ VGS=10V
- **连续漏电流 (ID)**: 120A
- **技术**: Trench

领域和模块应用：

应用领域和模块

1. **电源管理**: QM3110M6-VB 适用于各种开关电源和DC-DC转换器。其低导通电阻提高了能效，使其成为高效电源适配器和电池充电器中的理想选择。

2. **电动机驱动**: 该MOSFET 在电动机控制系统中具有优秀的性能，适合用于工业自动化、机器人和电动车辆等需要高电流驱动的应用。

3. **LED驱动电路**: QM3110M6-VB 也非常适合LED照明系统的驱动，能够提供稳定的电流，确保LED在不同负载下的高效能量转换，广泛应用于商业和住宅照明中。

4. **可再生能源系统**: 在太阳能和风能系统中，该MOSFET 可用于逆变器和电池管理系统，以提高能量转换效率和系统的整体性能。

通过这些应用示例，QM3110M6-VB 显示出其在高效能电子产品中的广泛适用性，成为现代电源管理解决方案的重要组成部分。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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