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QM3106M3-VB 产品详细

产品简介:

QM3106M3-VB 产品简介

QM3106M3-VB 是一款高效能单N沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装,专为低功耗和高效率应用设计。其最大漏源电压(VDS)为30V,支持±20V的栅源电压(VGS),阈值电压(Vth)为1.7V。该MOSFET 在VGS为4.5V时,导通电阻(RDS(ON))为5mΩ,而在VGS为10V时为3.9mΩ,最大漏电流(ID)可达到60A。凭借其Trench技术,该产品在高频应用中表现出色,适用于多种电源管理和开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A 3.9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3) Single-N
详细参数说明

- **型号**:QM3106M3-VB
- **封装**:DFN8(3X3)
- **配置**:单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- @VGS=4.5V:5mΩ
- @VGS=10V:3.9mΩ
- **最大漏电流 (ID)**:60A
- **技术类型**:Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块

1. **电源管理系统**:
- QM3106M3-VB 在电源管理应用中提供高效的开关控制,适用于开关电源和电源分配系统,能够降低能量损耗并提高系统效率。

2. **DC-DC转换器**:
- 该MOSFET 适用于各种DC-DC转换器,能够在高负载条件下保持低导通损耗,广泛应用于电源适配器、便携设备和嵌入式系统。

3. **电动工具**:
- QM3106M3-VB 可在电动工具的电机驱动和控制电路中应用,支持高效能的电力传输和控制,确保设备的可靠性和耐用性。

4. **LED驱动电路**:
- 在LED驱动应用中,该器件能够提供稳定的电流输出,减少热量生成,广泛用于照明和显示技术中,提高LED的工作效率。

5. **消费电子**:
- QM3106M3-VB 适用于智能手机、平板电脑等消费电子产品的功率开关,能够实现高效的电源转换与管理,提升用户体验。

通过这些应用,QM3106M3-VB MOSFET 提供了高效、可靠的解决方案,以满足各类高性能市场的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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