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Q011-VB 产品详细

产品简介:

Q011-VB 产品简介

Q011-VB 是一款高效能的单N通道MOSFET,采用DFN8(3x3)封装,专为低压应用设计。该器件的最大漏极源极电压(VDS)为20V,最大漏极电流(ID)可达58A,适用于多种要求高功率和高效率的电子设备。Q011-VB 采用先进的Trench技术,具有极低的导通电阻,能有效降低能量损耗,提升整体系统的能效,尤其在快速开关操作中表现出色。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 20V 0.5~1.5V 58A 5.5mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 20V 0.5~1.5V 58A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 20V 0.5~1.5V 58A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3) Single-N
详细参数说明

- **型号**: Q011-VB
- **封装**: DFN8(3x3)
- **配置**: 单N通道
- **最大漏极源极电压 (VDS)**: 20V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 5.5mΩ @ VGS = 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 5.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流 (ID)**: 58A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **电池管理系统**: Q011-VB 可广泛应用于电池管理系统中,其低导通电阻和高电流处理能力使其在充放电过程中保持高效,确保电池的安全和长寿命。

2. **DC-DC 转换器**: 在低压DC-DC转换器中,该MOSFET 能够提高能量转换效率,减少热损耗,适用于各种便携式设备,如智能手机和平板电脑。

3. **LED驱动电路**: Q011-VB 适用于LED驱动电路,提供稳定的电流控制,确保LED的亮度和色温稳定,广泛应用于照明和显示设备。

4. **消费电子产品**: 在家用电器和消费电子产品中,该器件用于电源管理和开关控制,以满足高功率需求并提升整体性能,适应快速开关操作的需求。

5. **电机驱动**: Q011-VB 也可用于电机驱动应用,提供高效的电流控制和快速响应,确保电机在动态负载条件下的平稳运行。

通过这些应用示例,Q011-VB 展现了其在低压高效电源管理和开关应用中的广泛适用性,满足各行业对高效能和可靠性的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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