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PSMN1R5-40PS-VB 产品详细

产品简介:

PSMN1R5-40PS-VB 产品简介

PSMN1R5-40PS-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO220封装,专为高电流和低电压应用而设计。该MOSFET具有最大漏源电压(VDS)为40V,导通电阻(RDS(ON))在不同栅源电压下表现出色:在VGS为4.5V时为15mΩ,而在VGS为10V时仅为2mΩ,支持高达180A的漏电流(ID)。得益于其先进的Trench技术,PSMN1R5-40PS-VB 提供了优异的效率和功耗表现,适合各种电源和驱动应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A 2mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**:PSMN1R5-40PS-VB
- **封装**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**:40V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 15mΩ(@VGS=4.5V)
- 2mΩ(@VGS=10V)
- **最大漏电流 (ID)**:180A
- **技术类型**:Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块

1. **电源转换**:
- PSMN1R5-40PS-VB 可广泛用于开关电源(SMPS),提升电能转换效率,减少能量损耗,适合高功率电源模块。

2. **电机驱动器**:
- 在电机驱动应用中,该MOSFET能够提供快速开关能力,确保电动机在启动和运行过程中的高效性能。

3. **电动车辆充电器**:
- 适用于电动车辆的充电器中,以实现高效的直流充电,确保快速充电且降低发热。

4. **LED驱动电源**:
- 可用于LED驱动电源,帮助实现高效、恒定的电流输出,提高LED灯具的整体性能和寿命。

5. **工业控制系统**:
- 在工业自动化和控制系统中,PSMN1R5-40PS-VB 也被广泛应用,以实现快速、可靠的开关控制和高效的电力管理。

通过这些应用,PSMN1R5-40PS-VB MOSFET 可以为现代电子设备和系统提供高效、稳定的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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