PSMN004-36P-VB - VBsemi MOS管制造商

PSMN004-36P-VB 产品详细

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产品简介：

产品简介

**PSMN004-36P-VB**是一款高性能的N通道MOSFET，封装形式为TO220，适用于各种高效能的电源管理应用。其设计采用了Trench技术，具有较低的导通电阻(RDS(ON))，使其在高电流应用中表现出色。这款MOSFET的最大漏源电压(VDS)为30V，能够承受高达120A的电流(ID)，非常适合在功率转换、马达驱动和高频开关电源等领域中使用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	30V		1.7V	120A			3mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	30V		1.7V	120A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	30V		1.7V	120A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

详细参数说明

- **型号**: PSMN004-36P-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N通道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 30V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4mΩ (VGS = 4.5V)
- 3mΩ (VGS = 10V)
- **最大漏电流 (ID)**: 120A
- **技术**: Trench

领域和模块应用：

应用领域和模块示例

1. **电源管理**: PSMN004-36P-VB广泛应用于开关电源（SMPS）中，能够提供高效的电源转换，降低能量损失。

2. **马达驱动**: 由于其高电流处理能力，该MOSFET非常适合用于马达驱动电路，确保在负载变化时提供稳定的电流。

3. **电动车辆**: 在电动汽车的动力管理系统中，这款MOSFET可以用作电机控制和能量回收系统的关键元件，提高能效和响应速度。

4. **太阳能逆变器**: PSMN004-36P-VB也适用于太阳能逆变器中，有助于优化能量转换效率，将直流电转换为交流电。

5. **高频开关电路**: 在需要快速开关的应用中，如LED驱动和RF功率放大器，这款MOSFET能够提供快速的开关响应和低导通损耗。

通过这些应用，PSMN004-36P-VB展示了其在高效能电路设计中的重要性，适应多种复杂的工作环境。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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