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PHP8ND50E-VB 产品详细

产品简介:

PHP8ND50E-VB 产品简介

PHP8ND50E-VB 是一款高压 N-Channel MOSFET,采用 TO220 封装,专为高电压应用设计,最大漏极-源电压(VDS)可达 500V。该器件在 10V 的栅极驱动下具有较低的导通电阻,确保在高电流负载下的高效能。凭借其优越的开关性能和良好的热管理能力,PHP8ND50E-VB 广泛应用于电源转换、电机驱动和工业控制等领域,能够满足苛刻的工作环境需求。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A 660mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**: PHP8ND50E-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: Single-N-Channel
- **最大漏极-源电压 (VDS)**: 500V
- **最大栅极-源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.1V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 660mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 13A
- **技术**: Plannar

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

1. **开关电源(SMPS)**: PHP8ND50E-VB 适用于开关电源应用,能够在高电压条件下高效工作,减少开关损耗,提高能效,广泛用于各种电源适配器和变换器。

2. **电机驱动**: 在电动机控制领域,该器件能够承受高电压并提供稳定的电流输出,适合用于工业设备和家电中的电动机驱动。

3. **电源转换器**: PHP8ND50E-VB 可以用于各类电源转换器,包括直流-直流转换器和逆变器,能够高效管理电能转换过程,保证系统的可靠性。

4. **高压应用**: 此 MOSFET 适合在高压环境中使用,如电力电子系统和高压开关设备,能够确保设备在极端条件下稳定运行。

5. **汽车电子**: 在汽车电子系统中,该器件可用于高压电源管理和控制模块,满足现代汽车对电气系统的高要求,提升整体性能。

综上所述,PHP8ND50E-VB 是一款高压 N-Channel MOSFET,广泛应用于高电压和高电流的场合,能够有效提升系统的性能与能效。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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